Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012003994 - APPAREIL DE PULVÉRISATION AU MAGNÉTRON

Numéro de publication WO/2012/003994
Date de publication 12.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/003413
Date du dépôt international 08.07.2011
CIB
H01J 37/34 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
34fonctionnant par pulvérisation cathodique
CPC
C23C 14/352
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
35by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
352using more than one target
H01J 37/3408
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3402using supplementary magnetic fields
3405Magnetron sputtering
3408Planar magnetron sputtering
H01J 37/3447
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3411Constructional aspects of the reactor
3447Collimators, shutters, apertures
H01J 37/347
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3464Operating strategies
347Thickness uniformity of coated layers or desired profile of target erosion
Déposants
  • OC OERLIKON BALZERS AG [LI/LI]; Iramali 18 FL-9496 Balzers, LI (AllExceptUS)
  • ROHRMANN, Hartmut [DE/DE]; DE (UsOnly)
  • DUBS, Martin [CH/CH]; CH (UsOnly)
Inventeurs
  • ROHRMANN, Hartmut; DE
  • DUBS, Martin; CH
Mandataires
  • WAGNER, Wolfgang, H.; Zimmerli, Wagner & Partner AG Apollostrasse 2 P. O. Box 1021 CH-8032 Zürich, CH
Données relatives à la priorité
61/362,87009.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETRON SPUTTERING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE PULVÉRISATION AU MAGNÉTRON
Abrégé
(EN)
A magnetron sputtering apparatus comprises, within a vacuum chamber (1), a substrate support (2) holding a substrate (3) with an upward- facing plane substrate surface (4) which is to be coated. The substrate (3) may be a disk of, e.g., 200mm diameter. At a distance from a centre plane (5) two oblong targets (7a, 7b) are symmetrically arranged which are inclined towards the centre plane (5) so as to enclose an acute angle (β; -β) of between 8° and 35° with the plane defined by the substrate surface (4). Above the substrate surface (4) a collimator (13) with equidistant rectangular collimator plates is arranged. With this configuration high uniformity of the coating is achievable, in particular, if the distance of the collimator (13) from the substrate surface (4) is chosen as a multiple n of the extension of the collimator (13) perpendicular to the said surface, preferably with n equalling 1 or 2, for suppressing ripple.
(FR)
L'invention porte sur un appareil de pulvérisation au magnétron, lequel appareil comprend, à l'intérieur d'une chambre à vide (1), un support de substrat (2) supportant un substrat (3) avec une surface de substrat plane dirigée vers le haut (4) qui doit être revêtue. Le substrat (3) peut être un disque, par exemple de 200 mm de diamètre. À une certaine distance d'un plan central (5), deux cibles oblongues (7a, 7b) sont disposées de façon symétrique, lesquelles sont inclinées vers le plan central (5) de façon à inclure un angle aigu (β ; -β) entre 8° et 35° avec le plan défini par la surface de substrat (4). Au-dessus de la surface de substrat (4), un collimateur (13) avec des plaques de collimateur rectangulaires équidistantes est disposé. Avec cette configuration, une uniformité élevée du revêtement peut être obtenue, en particulier, si la distance du collimateur (13) à la surface de substrat (4) est choisie de façon à être un multiple n de l'étendue du collimateur (13) perpendiculaire à ladite surface, n étant de préférence égal à 1 ou à 2, pour supprimer l'ondulation.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international