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Paramétrages

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1. WO2012003341 - PROCÉDÉS PERMETTANT DE FORMER DES COUCHES CONTENANT DU TUNGSTÈNE

Numéro de publication WO/2012/003341
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/042625
Date du dépôt international 30.06.2011
CIB
H01L 21/205 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
CPC
C23C 16/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
06characterised by the deposition of metallic material
C23C 16/45525
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
455characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
45523Pulsed gas flow or change of composition over time
45525Atomic layer deposition [ALD]
H01L 21/28562
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
28506of conductive layers
28512on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
28556by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
28562Selective deposition
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054, US (AllExceptUS)
  • KHANDELWAL, Amit [IN/US]; US (UsOnly)
  • WU, Kai [CN/US]; US (UsOnly)
  • RENUART, Emily [US/US]; US (UsOnly)
  • CHEN, Jinqiu [US/US]; US (UsOnly)
  • GELATOS, Avgerinos V. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • KHANDELWAL, Amit; US
  • WU, Kai; US
  • RENUART, Emily; US
  • CHEN, Jinqiu; US
  • GELATOS, Avgerinos V.; US
Mandataires
  • TABOADA, Alan; Moser Taboada 1030 Broad Street Suite 203 Shrewsbury, New Jersey 07702, US
Données relatives à la priorité
13/172,33929.06.2011US
61/360,89401.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS FOR FORMING TUNGSTEN-CONTAINING LAYERS
(FR) PROCÉDÉS PERMETTANT DE FORMER DES COUCHES CONTENANT DU TUNGSTÈNE
Abrégé
(EN)
Methods for forming tungsten-containing layers on substrates are provided herein. In some embodiments, a method for forming a tungsten-containing layer on a substrate disposed in a process chamber may include mixing hydrogen and a hydride to form a first process gas; introducing the first process gas to the process chamber; exposing the substrate in the process chamber to the first process gas for a first period of time to form a conditioned substrate surface; subsequently purging the process chamber of the first process gas; exposing the substrate to a second process gas comprising a tungsten precursor for a second period of time to form a tungsten-containing nucleation layer atop the conditioned substrate surface; and subsequently purging the process chamber of the second process gas.
(FR)
L'invention concerne des procédés permettant de former des couches contenant du tungstène sur des substrats. Dans certains modes de réalisation, un procédé permettant de former une couche contenant du tungstène sur un substrat disposé dans une chambre de traitement peut consister à : mélanger de l'hydrogène et un hybride pour former un premier gaz de traitement ; introduire le premier gaz de traitement dans la chambre de traitement ; exposer le substrat au premier gaz de traitement dans la chambre de traitement pendant une première période pour former une surface de substrat conditionnée ; purger ensuite la chambre de traitement pour évacuer le premier gaz de traitement ; exposer le substrat à un second gaz de traitement contenant un précurseur du tungstène pendant une seconde période pour former une couche de nucléation contenant du tungstène sur la surface de substrat conditionnée ; purger ensuite la chambre de traitement pour évacuer le second gaz de traitement.
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