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1. WO2012003157 - SEMI-CONDUCTEUR SUR SUBSTRAT DE VERRE À COUCHE DE RAIDISSAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/003157
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/042068
Date du dépôt international 28.06.2011
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/185
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
185Joining of semiconductor bodies for junction formation
H01L 21/762
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
H01L 29/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
Déposants
  • CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, New York 14831, US (AllExceptUS)
  • SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES S.A.; Chemin des Franques Parc Technologique des Fontaines F-38190 Bernin, FR (AllExceptUS)
  • CHUANG, Ta Ko [CN/US]; US (UsOnly)
  • CITES, Jeffrey S. [US/US]; US (UsOnly)
  • DELPRAT, Daniel [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • MOHAMED, Nadia B. [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • USENKO, Alex [RU/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • CHUANG, Ta Ko; US
  • CITES, Jeffrey S.; US
  • DELPRAT, Daniel; FR
  • MOHAMED, Nadia B.; FR
  • USENKO, Alex; US
Mandataires
  • WATSON, Bruce P.; Corning Incorporated SP-Ti-3-1 Intellectual Property Department Corning, New York 14831, US
Données relatives à la priorité
12/827,58230.06.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME
(FR) SEMI-CONDUCTEUR SUR SUBSTRAT DE VERRE À COUCHE DE RAIDISSAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(EN)
A semiconductor-on-glass substrate having a relatively stiff (e.g. relatively high Young's modulus of 125 or higher) stiffening layer or layers placed between the silicon film and the glass in order to eliminate the canyons and pin holes that otherwise form in the surface of the transferred silicon film during the ion implantation thin film transfer process. The new stiffening layer may be formed of a material, such as silicon nitride, that also serves as an efficient barrier against penetration of sodium and other harmful impurities from the glass substrate into the silicon film.
(FR)
L'invention porte sur un semi-conducteur sur un substrat de verre qui présente une ou plusieurs couches de raidissage relativement raides (par exemple ayant un module de Young relativement élevé supérieur ou égal à 125) placées entre la couche mince de silicium et le verre afin d'éliminer les canyons et les trous d'épingle qui se forment sinon dans la surface de la couche mince de silicium transférée pendant le procédé de transfert de couche mince par implantation ionique. La nouvelle couche de raidissage peut être constituée d'un matériau, tel que le nitrure de silicium, qui sert également de barrière efficace contre la pénétration de sodium et d'autres impuretés nocives du substrat de verre vers la couche mince de silicium.
Également publié en tant que
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