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Paramétrages

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1. WO2012002995 - FILMS FINS ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ASSOCIÉS UTILISANT DU CYCLOHEXASILANE

Numéro de publication WO/2012/002995
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/001117
Date du dépôt international 23.06.2011
CIB
H01L 21/469 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
469pour y former des couches isolantes, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches
CPC
C23C 16/24
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
24Deposition of silicon only
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
H01L 21/02529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02529Silicon carbide
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02576
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
02576N-type
Déposants
  • MATHESON TRI-GAS, INC. [US/US]; 150 Allen Road Basking Ridge, NJ 07920, US (AllExceptUS)
  • TORRES, Robert, Jr. [US/US]; US (UsOnly)
  • FRANCIS, Terry, Arthur [US/US]; US (UsOnly)
  • HASAKA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • BRABANT, Paul, David [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • TORRES, Robert, Jr.; US
  • FRANCIS, Terry, Arthur; US
  • HASAKA, Satoshi; JP
  • BRABANT, Paul, David; US
Mandataires
  • PETERSEN, Steven, C.; 7198 Celome Ct. San Diego, CA 92129, US
Données relatives à la priorité
61/398,98002.07.2010US
61/402,19124.08.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) THIN FILMS AND METHODS OF MAKING THEM USING CYCLOHEXASILANE
(FR) FILMS FINS ET PROCÉDÉS DE FABRICATION ASSOCIÉS UTILISANT DU CYCLOHEXASILANE
Abrégé
(EN)
Cyclohexasilane is used in chemical vapor deposition methods to deposit epitaxial silicon-containing films over substrates. Such methods are useful in semiconductor manufacturing to provide a variety of advantages, including uniform deposition over heterogeneous surfaces, high deposition rates, and higher manufacturing productivity. Furthermore, the crystalline Si may be in situ doped to contain relatively high levels of substitutional carbon by carrying out the deposition at a relatively high flow rate using cyclohexasilane as a silicon source and a carbon-containing gas such as dodecalmethylcyclohexasilane or tetramethyldisilane under modified CVD conditions.
(FR)
Le cyclohexasilane est utilisé dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur pour déposer des films contenant du silicium épitaxié sur des substrats. Ces procédés sont utiles dans la fabrication de semi-conducteurs pour fournir une variété d'avantages, y compris un dépôt uniforme sur des surfaces hétérogènes, des taux de dépôt élevés, et une plus grande productivité de fabrication. En outre, le Si cristallin peut être dopé in situ pour contenir des niveaux relativement élevés de carbone substitutionnel en réalisant le dépôt à un débit relativement élevé en utilisant le cyclohexasilane en tant que source de silicium et un gaz contenant du carbone tel que le dodécalméthylcyclohexasilane ou le tétraméthyldisilane dans des conditions de CVD modifiées.
Également publié en tant que
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