Traitement en cours

Veuillez attendre...

PATENTSCOPE sera indisponible durant quelques heures pour des raisons de maintenance le dimanche 05.04.2020 à 10:00 AM CEST
Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012002994 - ÉPITAXIE SÉLECTIVE DE MATÉRIAUX CONTENANT DU SI ET MATÉRIAUX CONTENANT DU SI CRISTALLIN DOPÉS PAR SUBSTITUTION

Numéro de publication WO/2012/002994
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/US2011/001116
Date du dépôt international 23.06.2011
CIB
C30B 25/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02Croissance d'une couche épitaxiale
CPC
C23C 16/30
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
C23C 16/325
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
32Carbides
325Silicon carbide
C30B 25/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
02Epitaxial-layer growth
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
H01L 21/0237
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
H01L 21/02529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02529Silicon carbide
Déposants
  • MATHESON TRI-GAS, INC. [US/US]; 150 Allen Road Basking Ridge, NJ 07920, US (AllExceptUS)
  • INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; 1 New Orchard Road Armonk, NY 10504, US (AllExceptUS)
  • FRANCIS, Terry, Arthur [US/US]; US (UsOnly)
  • HASAKA, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • BRABANT, Paul, David [US/US]; US (UsOnly)
  • TORRES, Robert, Jr. [US/US]; US (UsOnly)
  • HE, Hong [CN/US]; US (UsOnly)
  • REZNICEK, Alexander [US/US]; US (UsOnly)
  • ADAM, Thomas, N. [US/US]; US (UsOnly)
  • SADANA, Devendra, K. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • FRANCIS, Terry, Arthur; US
  • HASAKA, Satoshi; JP
  • BRABANT, Paul, David; US
  • TORRES, Robert, Jr.; US
  • HE, Hong; US
  • REZNICEK, Alexander; US
  • ADAM, Thomas, N.; US
  • SADANA, Devendra, K.; US
Mandataires
  • PETERSEN, Steven, C.; 7198 Celome Ct. San Diego, CA 92129, US
Données relatives à la priorité
61/398,98002.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SELECTIVE EPITAXY OF SI-CONTAINING MATERIALS AND SUBSTITUTIONALLY DOPED CRYSTALLINE SI-CONTAINING MATERIALS
(FR) ÉPITAXIE SÉLECTIVE DE MATÉRIAUX CONTENANT DU SI ET MATÉRIAUX CONTENANT DU SI CRISTALLIN DOPÉS PAR SUBSTITUTION
Abrégé
(EN)
The present invention discloses that under modified chemical vapor deposition (mCVD) conditions an epitaxial silicon film may be formed by exposing a substrate contained within a chamber to a relatively high carrier gas flow rate in combination with a relatively low silicon precursor flow rate at a temperature of less than about 550°C and a pressure in the range of about 10 mTorr - 200 Torr. Furthermore, the crystalline Si may be in situ doped to contain relatively high levels of substitutional carbon by carrying out the deposition at a relatively high flow rate using tetrasilane as a silicon source and a carbon-containing gas such as dodecalmethylcyclohexasilane or tetramethyldisilane under modified CVD conditions.
(FR)
Selon la présente invention, dans des conditions de dépôt chimique en phase vapeur modifiées (mCVD) un film de silicium épitaxié peut être formé par exposition d'un substrat contenu à l'intérieur d'une chambre à un débit de gaz vecteur relativement élevé en combinaison avec un débit de précurseur de silicium relativement faible à une température inférieure à environ 550°C et à une pression dans la plage d'environ 10 mTorr à 200 Torr. En outre, le Si cristallin peut être dopé in situ pour contenir des niveaux relativement élevés de carbone substitutionnel en réalisant le dépôt à un débit relativement élevé en utilisant le tétrasilane en tant que source de silicium et un gaz contenant du carbone tel que le dodécalméthylcyclohexasilane ou le tétraméthyldisilane dans des conditions de CVD modifiées.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international