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Paramétrages

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1. WO2012002795 - PROCÉDÉ POUR PRODUIRE DES NANOFILS DE CARBURE DE SILICIUM (SIC) SUR UN SUBSTRAT EN SILICIUM

Numéro de publication WO/2012/002795
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/MY2010/000169
Date du dépôt international 09.09.2010
CIB
B82B 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
BNANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
3Fabrication ou traitement des nanostructures par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
C01B 31/36 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
BÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
31Carbone; Ses composés
30Carbures
36Carbures de silicium ou de bore
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
B82B 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
BNANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
1Nanostructures formées par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
C30B 29/36 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
36Carbures
CPC
C30B 25/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
25Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
C30B 29/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
36Carbides
C30B 29/60
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
60characterised by shape
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02529Silicon carbide
H01L 21/0259
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02587Structure
0259Microstructure
Déposants
  • UNIVERSITI SAINS MALAYSIA [MY/MY]; USM 11800 Pulau Pinang, MY (AllExceptUS)
  • CHEONG, Kuan Yew [MY/MY]; MY (UsOnly)
  • LOCKMAN, Zainovia [MY/MY]; MY (UsOnly)
  • CHIEW, Yi Ling [MY/MY]; MY (UsOnly)
Inventeurs
  • CHEONG, Kuan Yew; MY
  • LOCKMAN, Zainovia; MY
  • CHIEW, Yi Ling; MY
Mandataires
  • NANJAPPAN, Puvaneswari; KASS International Sdn. Bhd. Suite 8-7-2, Menara Mutiara Bangsar Jalan Liku Off Jalan Riong Bangsar 59100 Kuala Lumpur, MY
Données relatives à la priorité
PI 201000311930.06.2010MY
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A PROCESS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE (SIC) NANOWIRES ON A SILICON SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE DES NANOFILS DE CARBURE DE SILICIUM (SIC) SUR UN SUBSTRAT EN SILICIUM
Abrégé
(EN)
This invention relates to a process for producing a large amount of silicon carbide (SiC) nanowires (20) on a silicon wafer (10) through direct reaction between silicon and carbon sources without the use of any metallic catalyst and with advantage of direct integration of nanowires onto the silicon (Si) substrate, which enables device fabrication. Said process includes placing a silicon substrate (10) and a crucible (14) filled with 0.5g to 1.0g of carbon powder (12) into a furnace (18); creating a vacuum in the furnace (18) between 20 to 40 mTorr; introducing argon gas into the furnace (18); heating the furnace (18) to a reaction temperature between 1200 °C and 1350 °C; and cooling the furnace (18) to room temperature.
(FR)
Cette invention porte sur un procédé pour produire une grande quantité de nanofils (20) en carbure de silicium (SiC) sur une tranche de silicium (10) par réaction directe entre des sources de silicium et de carbone sans l'utilisation d'un quelconque catalyseur métallique, et avec l'avantage d'une intégration directe des nanofils sur le substrat en silicium (Si), ce qui permet une fabrication de dispositif. Ledit procédé met en œuvre la disposition d'un substrat en silicium (10) et d'un creuset (14) rempli de 0,5 g à 1,0 g de poudre de carbone (12) dans un four (18); la création d'un vide dans le four (18), entre 20 et 40 mTorrs; l'introduction d'un gaz argon dans le four (18); le chauffage du four (18) à une température de réaction entre 1200°C et 1350°C; et le refroidissement du four (18) à la température ambiante.
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