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Paramétrages

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1. WO2012002514 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI

Numéro de publication WO/2012/002514
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/065111
Date du dépôt international 30.06.2011
CIB
G01C 19/56 2012.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
CMESURE DES DISTANCES, DES NIVEAUX OU DES RELÈVEMENTS; GÉODÉSIE; NAVIGATION; INSTRUMENTS GYROSCOPIQUES; PHOTOGRAMMÉTRIE OU VIDÉOGRAMMÉTRIE
19Gyroscopes; Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes; Dispositifs sensibles à la rotation sans masse en mouvement; Mesure de la vitesse angulaire en utilisant les effets gyroscopiques
56Dispositifs sensibles à la rotation utilisant des masses vibrantes, p.ex. capteurs vibratoires de vitesse angulaire basés sur les forces de Coriolis
G01P 15/125 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
PMESURE DES VITESSES LINÉAIRES OU ANGULAIRES, DE L'ACCÉLÉRATION, DE LA DÉCÉLÉRATION OU DES CHOCS; INDICATION DE LA PRÉSENCE OU DE L'ABSENCE D'UN MOUVEMENT; INDICATION DE LA DIRECTION D'UN MOUVEMENT
15Mesure de l'accélération; Mesure de la décélération; Mesure des chocs, c. à d. d'une variation brusque de l'accélération
02en ayant recours aux forces d'inertie
08avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques
125au moyen de capteurs à capacité
H01L 21/8249 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8248Combinaison de technologie bipolaire et de technologie à effet de champ
8249Technologie bipolaire et MOS
H01L 27/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
06comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
CPC
B81C 1/00246
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00222Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
00246Monolithic integration, i.e. micromechanical structure and electronic processing unit are integrated on the same substrate
B81C 2203/0771
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2203Forming microstructural systems
07Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
0707Monolithic integration, i.e. the electronic processing unit is formed on or in the same substrate as the micromechanical structure
0757Topology for facilitating the monolithic integration
0771Stacking the electronic processing unit and the micromechanical structure
G01C 19/5733
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
19Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
5719using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
5733Structural details or topology
G01C 19/5769
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
19Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
5719using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
5769Manufacturing; Mounting; Housings
G01P 15/0802
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
15Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
02by making use of inertia forces ; using solid seismic masses
08with conversion into electric or magnetic values
0802Details
G01P 15/125
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
15Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
02by making use of inertia forces ; using solid seismic masses
08with conversion into electric or magnetic values
125by capacitive pick-up
Déposants
  • ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
  • 仲谷 吾郎 NAKATANI, Goro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 仲谷 吾郎 NAKATANI, Goro; JP
Mandataires
  • 稲岡 耕作 INAOKA, Kosaku; 大阪府大阪市中央区南本町2丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 あい特許事務所内 c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
Données relatives à la priorité
2010-15114701.07.2010JP
2010-15518507.07.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is a semiconductor device wherein a semiconductor substrate has a sensor region and an integrated circuit region, and a hollow is formed directly under the surface layer section in the sensor region. In the sensor region, a capacitance type acceleration sensor is formed by processing a semiconductor substrate surface layer section that faces the hollow. The capacitance type acceleration sensor includes a comb-teeth-like fixed electrode and a comb-teeth-like movable electrode. In the integrated circuit region, a CMIS transistor is formed. The CMIS transistor includes a P-type well region and an N-type well region, which are formed in the semiconductor substrate surface layer section. A gate electrode faces the P-type well region and the N-type well region by having a gate insulating film between the gate electrode and the well regions, said gate insulating film being formed on the surface of the semiconductor substrate.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur qui comporte une région de capteur et une région de circuit intégré, et un creux formé directement sous la section de couche de surface dans la région de capteur. Dans la région de capteur, un capteur d'accélération de type capacitif est formé en traitant une section de couche de surface du substrat semi-conducteur qui fait face au creux. Le capteur d'accélération de type capacitif comprend une électrode fixe de type « dents de peigne » et une électrode mobile de type « dents de peigne ». Dans la région de circuit intégré, un transistor CMIS est formé. Le transistor CMIS comprend une région de puits de type P et une région de puits de type N, qui sont formées dans la section de couche de surface du substrat semi-conducteur. Une électrode de grille fait face à la région de puits de type P et la région de puits de type N avec un film d'isolation de grille entre l'électrode de grille et les régions de puits, ledit film d'isolation de grille étant formé sur la surface du substrat semi-conducteur.
(JA)
半導体装置の半導体基板は、センサ領域および集積回路領域を有し、センサ領域の表層部直下には空洞が形成される。センサ領域には、空洞に対向する半導体基板の表層部を加工して、静電容量型加速度センサが形成される。静電容量型加速度センサは、櫛歯状の固定電極および可動電極を含む。集積回路領域には、CMISトランジスタが形成される。CMISトランジスタは、半導体基板の表層部に形成されたP型ウェル領域及びN型ウェル領域を含む。P型ウェル領域およびN型ウェル領域のそれぞれに対して、半導体基板の表面に形成されたゲート絶縁膜を介して、ゲート電極が対向する。
Également publié en tant que
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