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1. WO2012002146 - SOLUTION CHIMIQUE POUR FORMER UNE PELLICULE PROTECTRICE, ET PROCÉDÉ DE LAVAGE POUR SURFACE DE PLAQUETTES

Numéro de publication WO/2012/002146
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/063635
Date du dépôt international 15.06.2011
CIB
H01L 21/304 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
C09D 5/38
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
5Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced
38Paints containing free metal not provided for above in groups C09D5/00 - C09D5/36
H01L 21/02068
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02041Cleaning
02057Cleaning during device manufacture
02068during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
H01L 21/321
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
321After treatment
Déposants
  • セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP (AllExceptUS)
  • 荒田 忍 ARATA, Shinobu; null (UsOnly)
  • 斎藤 真規 SAITO, Masanori; null (UsOnly)
  • 齋尾 崇 SAIO, Takashi; null (UsOnly)
  • 公文 創一 KUMON, Soichi; null (UsOnly)
  • 七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null (UsOnly)
Inventeurs
  • 荒田 忍 ARATA, Shinobu; null
  • 斎藤 真規 SAITO, Masanori; null
  • 齋尾 崇 SAIO, Takashi; null
  • 公文 創一 KUMON, Soichi; null
  • 七井 秀寿 NANAI, Hidehisa; null
Mandataires
  • 小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; 東京都中央区明石町1番29号 掖済会ビル SHIGA内外国特許事務所内 c/o Shiga Patent Office, Ekisaikai Bldg., 1-29, Akashi-cho, Chuo-ku, Tokyo 1040044, JP
Données relatives à la priorité
2010-15053630.06.2010JP
2011-12714907.06.2011JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) CHEMICAL SOLUTION FOR FORMING PROTECTIVE FILM, AND WASHING METHOD FOR WAFER SURFACE
(FR) SOLUTION CHIMIQUE POUR FORMER UNE PELLICULE PROTECTRICE, ET PROCÉDÉ DE LAVAGE POUR SURFACE DE PLAQUETTES
(JA) 保護膜形成用薬液及びウェハ表面の洗浄方法
Abrégé
(EN)
Disclosed is a chemical solution for forming a water-repellent protective film on at least the surface of concave sections on a metallic wafer, said chemical solution containing water and a surfactant which has an HLB value of 0.001-10 according to Griffin's method and which comprises hydrophobic sections including a 6-18 carbon number hydrocarbon group. The concentration of the surfactant in said chemical solution, relative to the 100 mass% total volume of the chemical solution, is at least 0.00001 mass% but not greater than the saturation concentration. The disclosed chemical solution is an improvement on washing processes which tend to cause pattern collapse in a metallic wafer.
(FR)
L'invention concerne une solution chimique servant à former une pellicule protectrice hydrofuge sur au moins la surface de sections concaves sur une plaquette métallique, ladite solution chimique contenant de l'eau et un tensioactif dont la valeur HLB est de 0,001-10 selon la méthode de Griffin et qui contient des sections hydrophobes comprenant des groupes hydrocarbures à 6-18 atomes de carbone. La concentration du tensioactif dans ladite solution chimique, par rapport au volume total de 100 % en masse de la solution chimique, est d'au moins 0,00001 % en masse, mais n'est pas supérieure à la concentration de saturation. La solution chimique selon l'invention est une amélioration des processus de lavage qui tendent à provoquer un écrasement des motifs dans une plaquette métallique.
(JA)
開示されているのは、金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Griffin法によるHLB値が0.001~10であり炭素数が6~18の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量100質量%に対して0.00001質量%以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液である。この薬液は金属系ウェハのパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善できる。
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