Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

1. WO2012001857 - DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE

Numéro de publication WO/2012/001857
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/JP2011/002483
Date du dépôt international 27.04.2011
CIB
H01L 31/04 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
H01L 31/042 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque
042Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
CPC
H01L 31/022425
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
022425for solar cells
H01L 31/022466
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022466made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
H01L 31/046
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
0445including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
046PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
H01L 31/0504
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
042PV modules or arrays of single PV cells
05Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
0504specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
H01L 31/056
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
04adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
054Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
056the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
Y02E 10/52
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
52PV systems with concentrators
Déposants
  • 三菱電機株式会社 Mitsubishi Electric Corporation [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP (AllExceptUS)
  • 小西 博文 KONISHI, Hirofumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
  • 時岡 秀忠 TOKIOKA, Hidetada [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs
  • 小西 博文 KONISHI, Hirofumi; JP
  • 時岡 秀忠 TOKIOKA, Hidetada; JP
Mandataires
  • 高橋 省吾 TAKAHASHI, Shogo; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号三菱電機株式会社 知的財産センター内 c/o Mitsubishi Electric Corporation Corporate Intellectual Property Division, 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Données relatives à la priorité
2010-14061221.06.2010JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 光電変換装置
Abrégé
(EN)
The purpose of the present invention is to achieve a photovoltaic device with high photovoltaic conversion efficiency, that maintains low electrical resistance between a semiconductor layer and a back-surface electrode, and that improves the reflectance of light that travels through the semiconductor layer. To that end, the photovoltaic device has a transparent insulating substrate (1), upon which are laminated a surface electrode (2), a photovoltaic conversion layer (4) formed from a semiconductor material, a transparent electrically conductive layer (7) formed from a transparent electrically conductive oxide, and a rear-surface electrode (6) comprising a metallic material, in that order. An electrically conductive layer (8) that comprises a semiconductor material having silicon as the main ingredient thereof, and that has a higher refractive index than the aforementioned transparent electrically conductive layer, comes into contact with and is sandwiched between the transparent electrically conductive layer (7) and the rear-surface electrode (6).
(FR)
La présente invention concerne un dispositif photovoltaïque qui présente une grande efficacité de conversion photovoltaïque, qui maintient une résistance électrique limitée entre une couche semi-conductrice et une électrode de surface arrière, et qui améliore le facteur de réflexion de la lumière traversant la couche semi-conductrice. Ledit dispositif photovoltaïque comporte un substrat isolant transparent (1) sur lequel sont déposées une électrode de surface (2), une couche de conversion photovoltaïque (4) formée à partir d'un matériau semi-conducteur, une couche électriquement conductrice transparente (7) formée à partir d'un oxyde électriquement conducteur transparent, et une électrode de surface arrière (6) comprenant un matériau métallique, dans cet ordre. Une couche électriquement conductrice (8) qui comprend un matériau semi-conducteur dont le principal ingrédient est le silicium et qui présente un indice de réfraction supérieur à celui de la couche électriquement conductrice transparente susmentionnée vient en contact avec et est intercalée entre la couche électriquement conductrice transparente (7) et l'électrode de surface arrière (6).
(JA)
本発明は、半導体層と裏面電極との間の電気抵抗も低く保つとともに、半導体層を通過した光の反射率を向上して、光電変換効率の高い光電変換装置を実現することを目的とする。そのため、透光性絶縁基板1上に、表面電極2と、半導体材料からなる光電変換層4と、透明導電酸化物からなる透明導電層7と、金属材料からなる裏面電極6と、がこの順に積層された光電変換装置であって、シリコンを主成分とする半導体材料からなり前記透明導電層よりも屈折率の高い導電層8が前記透明導電層7と前記裏面電極6とに接して挟まれている光電変換装置とした。
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international