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Paramétrages

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1. WO2012001659 - PROCÉDÉS DE PASSIVATION IN SITU DE TRANCHES DE SILICIUM-SUR-ISOLANT

Numéro de publication WO/2012/001659
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/IB2011/052903
Date du dépôt international 30.06.2011
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
Déposants
  • MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive St. Peters, Missouri 63376, US (AllExceptUS)
  • RIES, Michael J. [US/US]; US (UsOnly)
  • WITTLE, Dale A. [US/US]; US (UsOnly)
  • STEFANESCU, Anca [US/US]; US (UsOnly)
  • JONES, Andrew M. [IN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • RIES, Michael J.; US
  • WITTLE, Dale A.; US
  • STEFANESCU, Anca; US
  • JONES, Andrew M.; US
Mandataires
  • MUNSELL, Michael G.; Armstrong Teasdale LLP 7700 Forsyth Blvd. Suite 1800 St. Louis, MO 63105, US
Données relatives à la priorité
61/359,99830.06.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHODS FOR IN-SITU PASSIVATION OF SILICON-ON-INSULATOR WAFERS
(FR) PROCÉDÉS DE PASSIVATION IN SITU DE TRANCHES DE SILICIUM-SUR-ISOLANT
Abrégé
(EN)
Methods and systems are disclosed for performing a passivation process on a silicon-on-insulator wafer in a chamber in which the wafer is cleaved. A bonded wafer pair is cleaved within the chamber to form the silicon-on-insulator (SOI) wafer. A cleaved surface of the SOI wafer is then passivated in-situ by exposing the cleaved surface to a passivating substance. This exposure to a passivating substance results in the formation of a thin layer of oxide on the cleaved surface. The silicon-on-insulator wafer is then removed from the chamber. In other embodiments, the silicon-on-insulator wafer is first transferred to an adjoining chamber where the wafer is then passivated. The wafer is transferred to the adjoining chamber without exposing the wafer to the atmosphere outside the chambers.
(FR)
La présente invention concerne des procédés et des systèmes pour réaliser un procédé de passivation sur une tranche de silicium-sur-isolant dans une chambre dans laquelle la tranche est coupée. Une paire de tranches liées est coupée à l'intérieur de la chambre pour former la tranche de silicium-sur-isolant (SOI). Une surface coupée de la tranche de SOI subit alors une passivation in situ en exposant la surface coupée à une substance de passivation. L'exposition à une substance de passivation entraîne la formation d'une couche mince d'oxyde sur la surface coupée. La tranche de silicium-sur-isolant est alors retirée de la chambre. Dans d'autres modes de réalisation, la tranche de silicium-sur-isolant est d'abord transférée à une chambre contiguë dans laquelle la tranche subit alors une passivation. La tranche est transférée à la chambre contiguë sans exposer la tranche à l'atmosphère à l'extérieur des chambres.
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