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Paramétrages

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1. WO2012001542 - OXYDE DE ZINC DOPE DE TYPE P

Numéro de publication WO/2012/001542
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/IB2011/052134
Date du dépôt international 16.05.2011
CIB
C01G 9/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
9Composés du zinc
C01G 9/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
9Composés du zinc
02Oxydes; Hydroxydes
H01L 29/221 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
12caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
22comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI
221comprenant plusieurs composés
CPC
C01G 9/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
9Compounds of zinc
C01G 9/006
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
9Compounds of zinc
006Compounds containing, besides zinc, two ore more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
C01G 9/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
9Compounds of zinc
02Oxides; Hydroxides
C01P 2002/52
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
50Solid solutions
52containing elements as dopants
C01P 2002/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
50Solid solutions
52containing elements as dopants
54one element only
C01P 2002/72
CCHEMISTRY; METALLURGY
01INORGANIC CHEMISTRY
PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
2002Crystal-structural characteristics
70defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
72by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
Déposants
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, rue Michel Ange F-75016 Paris, FR (AllExceptUS)
  • UNIVERSITE DE NANTES [FR/FR]; 1 quai de Tourville F-44000 Nantes, FR (AllExceptUS)
  • JOBIC, Stéphane [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • CARIO, Laurent [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • CHAVILLON, Benoît [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • TESSIER, Franck [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • CHEVIRE, François [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs
  • JOBIC, Stéphane; FR
  • CARIO, Laurent; FR
  • CHAVILLON, Benoît; FR
  • TESSIER, Franck; FR
  • CHEVIRE, François; FR
Mandataires
  • NOËL, Chantal; Cabinet Ores 36, rue de St Pétersbourg F-75008 Paris, FR
Données relatives à la priorité
100280402.07.2010FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) P-TYPE DOPED ZINC OXIDE
(FR) OXYDE DE ZINC DOPE DE TYPE P
Abrégé
(EN)
Disclosed are p-type doped zinc oxide materials, in particular nitrogen-doped zinc oxide materials that are Zn deficient. Also disclosed are a method for producing said novel materials and the uses thereof, e.g. in optoelectronics, in particular in the field of light emitting diodes and laser diodes, as well as in photocatalysis, spin electronics, and photovoltaic cells.
(FR)
Matériaux du type oxyde de zinc dopé de type p, en particulier oxyde de zinc dopé par de l'azote et possédant des lacunes de Zn. Un procédé pour la préparation de ces nouveaux matériaux et leurs utilisations, notamment en opto-électronique, en particulier dans le domaine des diodes électroluminescentes et des diodes lasers, mais aussi de la photocatalyse, de l'électronique de spin, des cellules photovoltaïques.
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