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Paramétrages

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1. WO2012000849 - PHOTODÉTECTEUR AU GERMANIUM

Numéro de publication WO/2012/000849
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/060377
Date du dépôt international 21.06.2011
CIB
H01L 31/102 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
H01L 31/18 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 31/1085
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
108the potential barrier being of the Schottky type
1085the devices being of the Metal-Semiconductor-Metal [MSM] Schottky barrier type
H01L 31/1808
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
1804comprising only elements of Group IV of the Periodic System
1808including only Ge
Y02E 10/50
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
Déposants
  • INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US (AllExceptUS)
  • IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; P.O. Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
  • PARK, Jin-Hong [KR/US]; US (UsOnly)
  • ASSEFA, Solomon [ET/US]; US (UsOnly)
  • KIM, Jee, Hwan [KR/US]; US (UsOnly)
  • VLASOV, Yurii [RU/US]; US (UsOnly)
Inventeurs
  • PARK, Jin-Hong; US
  • ASSEFA, Solomon; US
  • KIM, Jee, Hwan; US
  • VLASOV, Yurii; US
Mandataires
  • LITHERLAND, David, Peter; IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law Hursley Park Winchester Hampshire SO21 2JN, GB
Données relatives à la priorité
13/024,72410.02.2011US
61/361,03402.07.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) GERMANIUM PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR AU GERMANIUM
Abrégé
(EN)
A method for forming a photodetector device includes forming an insulator layer on a substrate, forming a germanium (Ge) layer on the insulator layer and a portion of the substrate, forming a second insulator layer on the Ge layer, implanting n-type ions in the Ge layer, patterning the n-type Ge layer, forming a capping insulator layer on the second insulator layer and a portion of the first insulator layer, heating the device to crystallize the Ge layer resulting in an single crystalline n-type Ge layer, and forming electrodes electrically connected to the single crystalline n-type Ge layer.
(FR)
Cette invention concerne un procédé de formation d'un dispositif photodétecteur. Ledit procédé comprend les étapes consistant à former une couche isolante sur un substrat, former une couche de germanium (Ge) sur la couche isolante et sur une partie du substrat, former une seconde couche isolante sur la couche de Ge, implanter des ions de type n dans la couche de Ge, modeler la couche de Ge de type n, former une couche isolante de recouvrement sur la seconde couche isolante et sur une partie de la première couche isolante, chauffer le dispositif pour cristalliser la couche de Ge afin de produire une couche de Ge monocristalline de type n, et former des électrodes électriquement reliées à la couche de Ge monocristallin de type n.
Également publié en tant que
GB1300364.5
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