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Paramétrages

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1. WO2012000821 - PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DES IRRÉGULARITÉS À LA SURFACE D'UNE COUCHE TRANSFÉRÉE D'UN SUBSTRAT SOURCE À UN SUBSTRAT DE SUPPORT À BASE DE VERRE

Numéro de publication WO/2012/000821
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/060251
Date du dépôt international 20.06.2011
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
Déposants
  • SOITEC [FR/FR]; Chemin des Franques F-38190 Bernin, FR (AllExceptUS)
  • DELPRAT, Daniel; FR (UsOnly)
  • DURET, Carine [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • BEN MOHAMED, Nadia [FR/FR]; FR (UsOnly)
  • LALLEMENT, Fabrice [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs
  • DELPRAT, Daniel; FR
  • DURET, Carine; FR
  • BEN MOHAMED, Nadia; FR
  • LALLEMENT, Fabrice; FR
Mandataires
  • COLLIN, Jérôme; Cabinet Regimbeau 20, rue de Chazelles F-75847 Paris Cedex 17, FR
Données relatives à la priorité
106130228.12.2010FR
12/827,58230.06.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR REDUCING IRREGULARITIES AT THE SURFACE OF A LAYER TRANSFERRED FROM A SOURCE SUBSTRATE TO A GLASS-BASED SUPPORT SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DES IRRÉGULARITÉS À LA SURFACE D'UNE COUCHE TRANSFÉRÉE D'UN SUBSTRAT SOURCE À UN SUBSTRAT DE SUPPORT À BASE DE VERRE
Abrégé
(EN)
The present invention concerns a method for reducing irregularities at the surface of a layer (4) transferred from a source substrate (1) to a glass-based support substrate (3), wherein said transfer comprises the steps of: (a) generating a weakening zone (2) in the source substrate (1); (b) contacting the source substrate (1) and the glass-based support substrate (3); (c) splitting the source substrate (1) at the weakening zone (2); characterized in that the thickness of the glass-based substrate is comprised between 300 μm and 600 μm.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de réduction des irrégularités à la surface d'une couche (4) transférée d'un substrat source (1) à un substrat de support à base de verre (3). Ledit transfert comprend les étapes consistant à : (a) générer une zone de faiblesse (2) dans le substrat source (1); (b) mettre en contact le substrat source (1) avec le substrat de support à base de verre (3); et (c) cliver le substrat source (1) au niveau de la zone de faiblesse (2). Le procédé de l'invention est caractérisé en ce que l'épaisseur du substrat à base de verre va de 300 à 600 μm.
Également publié en tant que
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