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Paramétrages

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1. WO2012000725 - COMPOSANT OPTO-ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2012/000725
Date de publication 05.01.2012
N° de la demande internationale PCT/EP2011/058579
Date du dépôt international 25.05.2011
CIB
H01L 33/38 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
38ayant une forme particulière
H01L 33/62 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
62Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 31/0224 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0224Electrodes
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
CPC
H01L 27/144
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 31/02005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
02002Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
02005for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/0236
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0236Special surface textures
H01L 31/02363
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0236Special surface textures
02363of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
  • HÖPPEL, Lutz [DE/DE]; DE (UsOnly)
Inventeurs
  • HÖPPEL, Lutz; DE
Mandataires
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München, DE
Données relatives à la priorité
10 2010 025 320.028.06.2010DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) COMPOSANT OPTO-ÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé
(DE)
Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einem Halbleiterchip (1) und einem Träger (12) angegeben, der mittels einer Verbindungsschicht (14) aus einem Metall oder einer Metalllegierung mit dem Halbleiterchip (1) verbunden ist, wobei der Halbleiterchip (1) dem Träger (12) zugewandte elektrische Anschlussbereiche (18, 19) aufweist und der Träger (12) an einer von dem Halbleiterchip (1) abgewandten Rückseite elektrische Rückseitenkontakte (28, 29) aufweist. Die Rückseitenkontakte (28, 29) sind jeweils mit mindestens einer Durchkontaktierung (15), die durch den Träger (12) verläuft, mit dem ersten elektrischen bzw. zweiten Anschlussbereich (18, 19) elektrisch leitend verbunden, wobei der erste und/oder der zweite elektrische Rückseitenkontakt (28, 29) mit mindestens einer weiteren Durchkontaktierung (15, 16), die durch den Träger verläuft, mit dem ersten bzw. dem zweiten elektrischen Anschlussbereich (18, 19) verbunden ist. Ferner wird ein vorteilhaftes Verfahren zur Herstellung eines derartigen optoelektronischen Bauelements angegeben.
(EN)
The invention relates to an optoelectronic component comprising a semiconductor chip (1) and a substrate (12), which is connected to the semiconductor chip (1) by means of a connecting layer (14) made of a metal or a metal alloy. The semiconductor chip (1) has electrical connection regions (18, 19) facing the substrate (12), and the substrate (12) comprise electrical rear-side contacts (28, 29) on a rear side remote from the semiconductor chip (1). Each of the rear-side contacts (28, 29) is electrically conductively connected to the first electrical or second connection region (18, 19) by means of at least one through-plating (15) that runs through the substrate (12), wherein the first and/or the second electrical rear-side contact (28, 29) are connected to the first or the second electrical connection region (18, 19) by means of at least one further through-plating (15, 16) that runs through the substrate. Furthermore, the invention relates to an advantageous method for producing such an optoelectronic component.
(FR)
L'invention concerne un composant opto-électronique comprenant une puce à semi-conducteur (1) et un support (12), lequel est relié à la puce à semi-conducteur (1) au moyen d'une couche de liaison (14) en un métal ou un alliage métallique. Selon l'invention, la puce à semi-conducteur (1) présente des zones de raccordement électrique (18, 19) faisant face au support (12) et le support (12) présente sur une face arrière qui est à l'opposé de la puce à semi-conducteur (1), des contacts électriques (28, 29) de face arrière. Les contacts (28, 29) de face arrière sont respectivement électriquement reliés à la première ou à la deuxième zone de raccordement électrique (18, 19) par le biais d'au moins un trou métallisé (15) qui traverse le support (12). Toujours selon l'invention, le premier et/ou le deuxième contact électrique (28, 29) de face arrière est relié à la première ou à la deuxième zone de raccordement électrique (18, 19) par le biais d'au moins un trou métallisé (15, 16) supplémentaire qui traverse le support. L'invention concerne en outre un procédé avantageux pour fabriquer un composant opto-électronique de ce type.
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