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1. (WO2011162278) GAZ POUR RÉACTIONS AU PLASMA ET SES UTILISATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/162278 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/064212
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 22.06.2011
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01) ,C07C 21/20 (2006.01) ,C09K 13/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
21
Composés acycliques non saturés contenant des atomes d'halogène
02
contenant des liaisons doubles carbone-carbone
19
Diènes halogénés
20
Butadiènes halogénés
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
K
SUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
13
Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage
04
contenant un acide inorganique
08
contenant un composé du fluor
Déposants : SUZUKI Takefumi[JP/JP]; JP (UsOnly)
ZEON CORPORATION[JP/JP]; 6-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008246, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : SUZUKI Takefumi; JP
Mandataire : OHISHI Haruhito; Kotani Bldg. 1F, 5-3, Uchikanda 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010047, JP
Données relatives à la priorité :
2010-14339524.06.2010JP
Titre (EN) GAS FOR PLASMA REACTIONS AND USES THEREOF
(FR) GAZ POUR RÉACTIONS AU PLASMA ET SES UTILISATIONS
(JA) プラズマ反応用ガス及びその利用
Abrégé :
(EN) The present invention comprises: a gas for plasma reactions that is characterized by containing 1,1,2,4,4,-pentafluoro-1,3-butadiene; a dry etching method in which the gas for plasma reactions is supplied to a processing vessel, and in that vessel a substrate to be etched undergoes dry etching; and a film-forming method for forming a fluorocarbon film in which the gas for plasma reactions is supplied to a processing vessel, and in that vessel a fluorocarbon film is grown by CVD on the surface of an object to be processed. When using this gas for plasma reactions of the present invention, particulate impurities are unlikely to occur in the gas vessel or inside an apparatus in which gas is circulated, etc., (especially in joints of piping, etc.) The dry etching method of the present invention facilitates the formation of high-aspect-ratio contact holes of a finer radius, with favorable forms that are approximately vertical and have no necking. Moreover, the film-forming method using the gas for plasma reactions of the present invention makes it possible to stably form fluorocarbon films with a high degree of repeatability.
(FR) La présente invention concerne un gaz pour réactions au plasma caractérisé en ce qu'il contient du 1,1,2,4,4,-pentafluoro-1,3-butadiene. L'invention concerne en outre un procédé de gravure sèche dans lequel le gaz pour réactions au plasma est acheminé vers une chambre de traitement dans laquelle un substrat à graver est soumis à une gravure sèche. L'invention concerne enfin un procédé de formation de couche conçu pour former une couche fluorocarbonée dans lequel le gaz pour réactions au plasma est acheminé vers une chambre de traitement, une couche fluorocarbonée étant développée dans ladite chambre par dépôt chimique en phase vapeur sur la surface d'un objet à traiter. Lors de l'utilisation du gaz de l'invention pour réactions au plasma, il est improbable que des impuretés en forme de particules apparaissent dans la chambre à gaz ou à l'intérieur d'un appareil dans lequel le gaz est acheminé, etc., (surtout au niveau des joints de tuyauterie etc.). Le procédé de gravure sèche selon l'invention facilite la formation de trous de contact de rapport de longueur élevé, présentant un rayon plus fin ainsi que des formes avantageuses quasiment verticales et sans striction. En outre, le procédé de formation de couche utilisant le gaz pour réactions au plasma de la présente invention permet de former de manière stable des couches fluorocarbonées avec un haut degré de répétabilité.
(JA)  本発明は、1,1,2,4,4-ペンタフルオロ-1,3-ブタジエンを含むことを特徴とするプラズマ反応用ガス、このプラズマ反応用ガスを処理容器内に供給し、該容器内で被エッチング基体をドライエッチングする工程を有するドライエッチング方法、及び、前記プラズマ反応用ガスを処理容器内に供給し、該容器内で被処理物の表面にCVD法によりフルオロカーボン膜を成膜する工程を有するフルオロカーボン膜の成膜方法である。 。本発明のプラズマ反応用ガスは、ガス容器やガスが流通する装置内部(特に配管等の接続部分)に不純物のパーティクルが生じにくいものである。本発明のドライエッチング法によれば、より微細径、高アスペクト比のコンタクトホールを、略垂直でネッキングのない良好な形状で形成することができる。また、本発明のプラズマ反応用ガスを用いる成膜方法によれば、フルオロカーボン膜を安定に再現性よく成膜することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)