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1. (WO2011162247) CELLULE SOLAIRE EN COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/162247    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/064148
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 21.06.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.04.2012    
CIB :
H01L 31/075 (2006.01), H01L 31/20 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001 (JP) (Tous Sauf US).
JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Honcho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP) (Tous Sauf US).
JSR Corporation [JP/JP]; Shiodome Sumitomo Building, 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640 (JP) (Tous Sauf US).
SAKURAI, Naoaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKA, Tomomichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIOZAWA, Kazufumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KONDO, Hiroyasu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMODA, Tatsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUKI, Yasuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MASUDA, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKURAI, Naoaki; (JP).
NAKA, Tomomichi; (JP).
SHIOZAWA, Kazufumi; (JP).
KONDO, Hiroyasu; (JP).
SHIMODA, Tatsuya; (JP).
MATSUKI, Yasuo; (JP).
MASUDA, Takashi; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-140863 21.06.2010 JP
Titre (EN) THIN FILM SILICON SOLAR CELL AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) CELLULE SOLAIRE EN COUCHES MINCES ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 薄膜シリコン太陽電池およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a thin film silicon solar cell (11A) comprising a step of forming a first electrode (3) on a substrate, a step of laminating an n-type silicon layer (5An), an i-type silicon layer (5Ai) and a p-type silicon layer (5Ap) on the first electrode (3) by a technique in which a solution containing polysilane is applied in the form of a pattern under an inert gas atmosphere and the pattern is dried to thereby form a silicon layer (5A), and a step of forming a second electrode (8) on the silicon layer (5A), wherein, in the step of forming the silicon layer (5A), at least one layer selected from the n-type silicon layer (5An), the i-type silicon layer (5Ai) and the p-type silicon layer (5Ap) is subjected to a dangling bond reduction treatment. It is possible to provide a process for producing a thin film silicon solar cell employing a coating method, which can produce the solar cell in a simple manner and does not undergo the increase in dangling bonds in a silicon layer.
(FR)Cette invention concerne un procédé de production d'une cellule solaire en couches minces à base de silicium (11A) comprenant l'étape consistant à former une première électrode (3) sur un substrat. Ledit procédé comprend en outre l'étape consistant à stratifier une couche de silicium de type n (5An), une couche de silicium de type i (5Ai) et une couche de silicium de type p (5Ap) sur la première électrode (3) au moyen d'une technique consistant à appliquer en forme de motif une solution contenant du polysilane sous atmosphère de gaz inerte et à sécher le motif pour former ainsi une couche de silicium (5A). Le procédé comprend enfin une étape consistant à former une seconde électrode (8) sur la couche de silicium (5A). A l'étape de formation de la couche de silicium (5A) au moins une couche choisie parmi la couche de silicium de type n (5An), la couche de silicium de type i (5Ai) et la couche de silicium de type p (5Ap) est soumise à un traitement de réduction des liaisons pendantes. Le procédé de l'invention permet de produire une cellule solaire en couches minces à base de silicium en utilisant un procédé de revêtement permettant de simplifier la production de la cellule solaire et ne présentant pas d'augmentation des liaisons pendantes dans une couche de silicium.
(JA) 基板上に第1電極3を形成する工程と、ポリシランを含む溶液を不活性ガス雰囲気下でパターン塗付し乾燥する手法を用いて、第1電極3上にn型シリコン層5An、i型シリコン層5Ai、p型シリコン層5Apを積層してシリコン層5Aを形成する工程と、シリコン層5A上に第2電極8を形成する工程とを含み、シリコン層5Aを形成する工程において、n型シリコン層5An、i型シリコン層5Ai、p型シリコン層5Apの少なくともいずれか1層にダングリングボンド低減処理を行う薄膜シリコン太陽電池11Aの製造方法。本発明によればシリコン層のダングリングボンドの増加を抑えつつ、簡易に製造することができる塗布法を用いた薄膜シリコン太陽電池の製造方法が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)