WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Options
Langue d'interrogation
Stemming/Racinisation
Trier par:
Nombre de réponses par page
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2011162219) APPAREIL DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/162219 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/064084
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 20.06.2011
CIB :
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
455
caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Déposants : WAKASA, Kanako; null (UsOnly)
SAKAGAMI, Hidekazu; null (UsOnly)
TSUBOI, Toshiki; null (UsOnly)
SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : WAKASA, Kanako; null
SAKAGAMI, Hidekazu; null
TSUBOI, Toshiki; null
Mandataire : HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
Données relatives à la priorité :
2010-14212923.06.2010JP
2011-01396926.01.2011JP
Titre (EN) VAPOR DEPOSITION APPARATUS
(FR) APPAREIL DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR
(JA) 気相成長装置
Abrégé :
(EN) The present vapor deposition apparatus (1A) has: a reactor (20) in which a substrate (31) on which a thin film is to be formed by vapor disposition; gas introduction ports (14) for introducing gas; a gas distribution cavity (13) for dispersing gas; a shower head (10) having a shower plate (11) equipped with a plurality of gas flow paths (15) for supplying gas from the gas distribution cavity (13) to the interior of the reactor (20); and exhaust ports (26) for releasing gas from the reactor (20) to the outside. The gas distribution space (13) in the shower head (10) is a space having the shower plate (11) as the bottom surface thereof, and has a first cavity (131) on the side further from the exhaust apertures (26) of the reactor (20), and a second cavity (132) on the side closer to the exhaust ports (26) of the reactor (20). The first cavity (131) is formed at a higher position than that of the second cavity (132).
(FR) Le présent appareil de dépôt en phase vapeur(1A) comprend : un réacteur (20) dans lequel est introduit un substrat (31) sur lequel une couche mince doit être formée par dépôt en phase vapeur ; des orifices d'introduction de gaz (14) ; une cavité de distribution de gaz (13) ; une tête de pulvérisation (10) comportant une plaque de pulvérisation (11) pourvue d'une pluralité de circuits de gaz (15) pour introduire le gaz provenant de la cavité de distribution de gaz (13) à l'intérieur du réacteur (20) ; et des orifices d'évacuation (26) pour libérer le gaz du réacteur (20) à l'extérieur. L'espace de distribution de gaz (13) dans la tête de pulvérisation (10) est un espace défini par la plaque de pulvérisation (11) comme surface inférieure, et comporte une première cavité (131) du côté le plus éloigné des orifices d'évacuation (26) du réacteur (20), et une deuxième cavité (132) du côté le plus proche des orifices d'évacuation (26) du réacteur (20). La position de la première cavité (131) est plus élevée que celle de la deuxième cavité (132).
(JA)  本発明の気相成長装置(1A)は、薄膜を気相成長させる被処理基板(31)を配設する反応炉(20)と、ガスを導入するガス導入口(14)と、ガスを拡散させるためのガス分配空間(13)と、ガス分配空間(13)のガスを反応炉(20)の内部に供給するための複数のガス流路(15)が穿設されているシャワープレート(11)とを有するシャワーヘッド(10)と、反応炉(20)のガスを外部に排気するための排気口(26)とを有する。シャワーヘッド(10)のガス分配空間(13)は、シャワープレート(11)を底面とする空間であり、かつ反応炉(20)の排気口(26)に遠い側の第1空間(131)と反応炉(20)の排気口(26)に近い側の第2空間(132)とを有している。第1空間(131)は、第2空間(132)よりも高く形成されている。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)