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1. WO2011161890 - CIRCUIT AMPLIFICATEUR HAUTE FRÉQUENCE

Numéro de publication WO/2011/161890
Date de publication 29.12.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/003266
Date du dépôt international 09.06.2011
CIB
H03F 3/60 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
60Amplificateurs dans lesquels les réseaux de couplage ont des constantes réparties, p.ex. comportant des résonateurs de guides d'ondes
H03F 3/21 2006.1
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
FAMPLIFICATEURS
3Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
20Amplificateurs de puissance, p.ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C
21comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
CPC
H03F 1/565
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
1Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
565using inductive elements
H03F 2200/387
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
H03F 2200/391
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
391the output circuit of an amplifying stage comprising an LC-network
H03F 2200/423
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
423Amplifier output adaptation especially for transmission line coupling purposes, e.g. impedance adaptation
H03F 2200/451
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
2200Indexing scheme relating to amplifiers
451the amplifier being a radio frequency amplifier
H03F 3/193
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
189High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
19with semiconductor devices only
193with field-effect devices
Déposants
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 神山 智英 KAMIYAMA, Tomohide (UsOnly)
  • 内藤 浩 NAITOU, Hiroshi (UsOnly)
  • 夘野 高史 UNO, Takashi (UsOnly)
  • 八幡 和宏 YAHATA, Kazuhiro (UsOnly)
  • 石崎 俊雄 ISHIZAKI, Toshio (UsOnly)
Inventeurs
  • 神山 智英 KAMIYAMA, Tomohide
  • 内藤 浩 NAITOU, Hiroshi
  • 夘野 高史 UNO, Takashi
  • 八幡 和宏 YAHATA, Kazuhiro
  • 石崎 俊雄 ISHIZAKI, Toshio
Mandataires
  • 新居 広守 NII, Hiromori
Données relatives à la priorité
2010-14104621.06.2010JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) HIGH-FREQUENCY AMPLIFIER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT AMPLIFICATEUR HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波増幅回路
Abrégé
(EN) Disclosed is a high-frequency amplifier circuit having high output and high efficiency. The high-frequency amplifier circuit comprises a first microwave harmonic processing circuit (102) connected to an output terminal of a transistor (101), a second microwave harmonic processing circuit (103), and a fundamental wave matching circuit (104) connected to a latter part of each of the first microwave harmonic processing circuit (102) and the second microwave harmonic processing circuit (103), wherein multiple pieces of the first microwave harmonic processing circuits (102) and multiple pieces of the second microwave harmonic processing circuits (103) are provided in the circuit.
(FR) La présente invention concerne un circuit amplificateur haute fréquence présentant une puissance élevée et une efficacité élevée. Le circuit amplificateur haute fréquence comprend un premier circuit de traitement harmonique à micro-onde (102) connecté à une borne de sortie d'un transistor (101), un second circuit de traitement harmonique à micro-onde (103), et un circuit d'appariement d'onde fondamentale (104) connecté à une dernière partie du premier circuit de traitement harmonique à micro-onde (102) et du second circuit de traitement harmonique à micro-onde (103), de multiples éléments des premiers circuits de traitement harmonique à micro-onde (102) et de multiples pièces des seconds circuits de traitement harmoniques à micro-onde (103) étant présentes dans le circuit.
(JA)  本発明の高周波増幅回路は、高出力かつ高効率の高周波増幅回路を提供することを目的とするものであって、トランジスタ(101)の出力端子に接続された、第一の高調波処理回路(102)と、第二の高調波処理回路(103)と、第一の高調波処理回路(102)と第二の高調波処理回路(103)の後段に接続された、基本波整合回路(104)と、を備え、第一の高調波処理回路(102)と第二の高調波処理回路(103)とを、それぞれ複数個備えていることを特徴とする。
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