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1. (WO2011160423) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONTACT SUR UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC CONTACT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/160423 N° de la demande internationale : PCT/CN2011/000693
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 20.04.2011
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/528 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
522
comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
528
Configuration de la structure d'interconnexion
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
钟汇才 ZHONG, Huicai [CN/CN]; CN (UsOnly)
梁擎擎 LIANG, Qingqing [CN/CN]; CN (UsOnly)
中国科学院微电子研究所 INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国北京市朝阳区北土城西路3号 No. 3 Beitucheng West Road Chaoyang District Beijing 100029, CN (AllExceptUS)
Inventeurs :
钟汇才 ZHONG, Huicai; CN
梁擎擎 LIANG, Qingqing; CN
Mandataire :
中国专利代理(香港)有限公司 CHINA PATENT AGENT ( H. K. ) LTD.; 中国香港特别行政区湾仔港湾道23号鹰君中心22号楼 22F Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong, CN
Données relatives à la priorité :
201010215145.522.06.2010CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONTACT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONTACT SUR UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC CONTACT
(ZH) 半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing a contact of a semiconductor device and the semiconductor device with the contact are provided. The method comprises a contact structure is formed on source/drain regions (210), the bottom of the contact structure has a plurality of contact holes (222) with smaller hole diameters, and the top of the contact structure has trench contacts (228) with larger contact areas. The contact holes (222) with smaller hole diameters and the trench contacts (228) with larger contact areas are facilitated to connect with an upper metal layer, thereby conductive performance of the contact and overall performance of the device are improved.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un contact sur un dispositif semi-conducteur, et un dispositif semi-conducteur avec contact. Le procédé consiste à former une structure de contact sur des régions de source/drain (210), la base de la structure de contact comportant une pluralité de trous de contact (222) avec des diamètres de trous plus petits, et le sommet de la structure de contact comportant des tranchées de contact (228) avec des zones de contact plus grandes. Les trous de contact (222) avec des diamètres de trous plus petits et les tranchées de contact (228) avec des zones de contact plus grandes facilitent la connexion avec une couche métallique supérieure, améliorant ainsi les performances de conduction du contact et les performances globales du dispositif.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)