WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011160423) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONTACT SUR UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC CONTACT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/160423    N° de la demande internationale :    PCT/CN2011/000693
Date de publication : 29.12.2011 Date de dépôt international : 20.04.2011
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/528 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3 Beitucheng West Road Chaoyang District Beijing 100029 (CN) (Tous Sauf US).
ZHONG, Huicai [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIANG, Qingqing [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : ZHONG, Huicai; (CN).
LIANG, Qingqing; (CN)
Mandataire : CHINA PATENT AGENT ( H. K. ) LTD.; 22F Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong (CN)
Données relatives à la priorité :
201010215145.5 22.06.2010 CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CONTACT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CONTACT SUR UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC CONTACT
(ZH) 半导体器件的接触的制造方法及具有该接触的半导体器件
Abrégé : front page image
(EN)A method for manufacturing a contact of a semiconductor device and the semiconductor device with the contact are provided. The method comprises a contact structure is formed on source/drain regions (210), the bottom of the contact structure has a plurality of contact holes (222) with smaller hole diameters, and the top of the contact structure has trench contacts (228) with larger contact areas. The contact holes (222) with smaller hole diameters and the trench contacts (228) with larger contact areas are facilitated to connect with an upper metal layer, thereby conductive performance of the contact and overall performance of the device are improved.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un contact sur un dispositif semi-conducteur, et un dispositif semi-conducteur avec contact. Le procédé consiste à former une structure de contact sur des régions de source/drain (210), la base de la structure de contact comportant une pluralité de trous de contact (222) avec des diamètres de trous plus petits, et le sommet de la structure de contact comportant des tranchées de contact (228) avec des zones de contact plus grandes. Les trous de contact (222) avec des diamètres de trous plus petits et les tranchées de contact (228) avec des zones de contact plus grandes facilitent la connexion avec une couche métallique supérieure, améliorant ainsi les performances de conduction du contact et les performances globales du dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)