Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2011158835 - FEUILLE ADHÉSIVE

Numéro de publication WO/2011/158835
Date de publication 22.12.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/063604
Date du dépôt international 14.06.2011
CIB
H01L 21/301 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
H01L 21/52 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
CPC
C09J 2203/326
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIAL AS ADHESIVES
2203Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
326for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
C09J 2301/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIAL AS ADHESIVES
2301Additional features of adhesives in the form of films or foils
10characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
18characterized by perforations in the adhesive tape
C09J 2301/208
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIAL AS ADHESIVES
2301Additional features of adhesives in the form of films or foils
20characterized by the structural features of the adhesive itself
208the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
C09J 7/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIAL AS ADHESIVES
7Adhesives in the form of films or foils
20characterised by their carriers
H01L 21/30
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
H01L 21/52
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, ; e.g. sealing of a cap to a base of a container
52Mounting semiconductor bodies in containers
Déposants
  • 日立化成工業株式会社 HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 中村 祐樹 NAKAMURA Yuuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 宮原 正信 MIYAHARA Masanobu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 片山 陽二 KATAYAMA Youji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 玉置 剛士 TAMAKI Tsuyoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 畠山 恵一 HATAKEYAMA Keiichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 池谷 卓二 IKEYA Takuji [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 中村 祐樹 NAKAMURA Yuuki
  • 宮原 正信 MIYAHARA Masanobu
  • 片山 陽二 KATAYAMA Youji
  • 玉置 剛士 TAMAKI Tsuyoshi
  • 畠山 恵一 HATAKEYAMA Keiichi
  • 池谷 卓二 IKEYA Takuji
Mandataires
  • 長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki
Données relatives à la priorité
2010-13946318.06.2010JP
2011-02430807.02.2011JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ADHESIVE SHEET
(FR) FEUILLE ADHÉSIVE
(JA) 接着シート
Abrégé
(EN) The disclosed adhesive sheet (1) for manufacturing a semiconductor device is provided with: a base film (10); an adhesive layer (20) disposed on top of the base film (10); an adhesive layer (30) that is disposed on top of the first adhesive layer (20) and has an opening (30a) through which the first adhesive layer (20) is exposed; and a die-bonding film (40) disposed on the section (25) of the first adhesive film (20) that is exposed through the aforementioned opening (30a). At least part of the outer edge of the die-bonding film (40) is in contact with the second adhesive layer (30).
(FR) L'invention porte sur une feuille adhésive (1) pour fabriquer un dispositif à semi-conducteurs, laquelle feuille comporte : un film de base (10) ; une couche adhésive (20) disposée sur le film de base (10) ; une couche adhésive (30) qui est disposée sur la première couche adhésive (20) et qui a une ouverture (30a) à travers laquelle est exposée la première couche adhésive (20) ; et un film de fixation de puce (40) disposé sur la section (25) du premier film adhésif (20) qui est exposée à travers l'ouverture précédemment mentionnée (30a). Au moins une partie du bord externe du film de fixation de puce (40) est en contact avec la seconde couche adhésive (30).
(JA)  半導体装置製造用接着シート1は、基材フィルム10と、基材フィルム10上に配置された接着層20と、接着層20上に配置されると共に接着層20が露出する開口30aを有する接着層30と、接着層20における開口30aから露出する部分25に配置されたダイボンディングフィルム40と、を備え、ダイボンディングフィルム40の外周の少なくとも一部が、接着層30に接している。
Documents de brevet associés
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international