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1. (WO2011158687) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS ET COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AU RAYONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/158687    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/062985
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 06.06.2011
CIB :
G03F 7/32 (2006.01), G03F 7/038 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), G03F 7/38 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : JSR CORPORATION [JP/JP]; 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAKIBARA Hirokazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HORI Masafumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHII Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FURUKAWA Taiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKAKIBARA Hirokazu; (JP).
HORI Masafumi; (JP).
ISHII Takeshi; (JP).
FURUKAWA Taiichi; (JP)
Mandataire : AMANO Kazunori; c/o Amano & Partners 6th Floor, Fujikogyo-Nishimotomachi Building 1-18, Aioi-cho 1-chome, Chuo-ku Kobe-shi, Hyogo 6500025 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-135619 14.06.2010 JP
Titre (EN) PATTERN FORMATION METHOD, AND RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS ET COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AU RAYONNEMENT
(JA) パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed are: a method for forming a highly precise and fine pattern that can be used in a process for producing a semiconductor such as an IC, the production of a liquid crystal and a circuit board such as a thermal head, other photo-fabrication processes and the like, in a steady manner; and a radiation-sensitive resin composition which can be used in the method. Specifically disclosed is a method for forming a pattern containing a hole or a trench, characterized by comprising the steps of (1) applying a radiation-sensitive resin composition onto a substrate to form a resist film, (2) exposing the resist film to light, and (3) developing the exposed resist film with a developing solution, wherein the radiation-sensitive resin composition contains a polymer [A] which contains a constituent unit having a carboxy group at a content of 10 mol% or less and of which the polarity can be increased by the action of an acid, and the developing solution contains an organic solvent.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de formation d'un motif très précis et fin qui peut être utilisé de manière stable dans un processus de fabrication d'un semi-conducteur tel qu'un circuit imprimé (IC), la fabrication d'un cristal liquide et d'une carte de circuit imprimé, telle qu'une tête thermique, d'autres procédés de photofabrication et analogues ; et à une composition de résine sensible au rayonnement qui peut être utilisée dans le procédé. De façon précise, la présente invention se rapporte à un procédé de formation d'un motif contenant un trou ou une tranche, caractérisée par le fait qu'il comprend les étapes consistant à : (1) appliquer une composition de résine sensible au rayonnement sur un substrat afin de former un film de réserve ; (2) exposer le film de réserve à la lumière ; et (3) développer le film de réserve exposé avec une solution de développement, la composition de résine sensible au rayonnement contenant un polymère [A] qui contient une unité constitutive ayant un groupe carboxy en une teneur égale ou inférieure à 10 % en mole et dont la polarité peut être accrue par l'action d'un acide et la solution de développement contenant un solvant organique.
(JA) 本発明は、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程等に使用される高精度な微細パターンを安定的に形成する方法、上記方法に用いられる感放射線性樹脂組成物を提供することを課題とする。上記課題を解決するためになされた発明は、(1)感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、(2)上記レジスト膜を露光する工程、及び(3)上記露光されたレジスト膜を現像液で現像する工程を有するホール又はトレンチを含むパターンの形成方法であって、上記感放射線性樹脂組成物が、[A]カルボキシ基を有する構造単位の含有率が10モル%以下であり、かつ酸の作用により極性が増大する重合体を含有し、上記現像液が有機溶媒を含有することを特徴とするパターン形成方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)