Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2011157422) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE PHOTOVOLTAÏQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/157422 N° de la demande internationale : PCT/EP2011/002968
Date de publication : 22.12.2011 Date de dépôt international : 16.06.2011
CIB :
H01L 31/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
MACK, Sebastian [DE/DE]; DE (UsOnly)
JÄGER, Ulrich [DE/DE]; DE (UsOnly)
WOLF, Andreas [DE/DE]; DE (UsOnly)
BIRO, Daniel [DE/DE]; DE (UsOnly)
PREU, Ralf [DE/DE]; DE (UsOnly)
KÄSTNER, Gero [DE/DE]; DE (UsOnly)
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c 80686 München, DE (AllExceptUS)
Inventeurs :
MACK, Sebastian; DE
JÄGER, Ulrich; DE
WOLF, Andreas; DE
BIRO, Daniel; DE
PREU, Ralf; DE
KÄSTNER, Gero; DE
Mandataire :
DICKER, Jochen; Lemcke, Brommer & Partner Bismarckstraße 16 76133 Karlsruhe, DE
Données relatives à la priorité :
10 2010 024 309.418.06.2010DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A PHOTOVOLTAIC SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE PHOTOVOLTAÏQUE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER PHOTOVOLTAISCHEN SOLARZELLE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for producing a photovoltaic solar cell, comprising the following steps: A. texturising a front (2) of a semiconductor substrate; B. generating a selective emitter doping on the front (2) of the semiconductor substrate by generating on the front (2) a flat low-doped region (4) and a local high-doped region (3) within the first low-doped region; and C. applying at least one metal emitter contact structure to the front (2) of the semiconductor substrate, at least in the regions of local high doping, wherein, between method steps B and C, a respective silicon oxide layer (5a, 5b) is generated in a method step B1 simultaneously on the front and back of the semiconductor substrate by means of thermal oxidation.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire photovoltaïque comprenant les étapes suivantes : A. Texturer une face avant (2) d'un substrat semi-conducteur dopé avec un type de dopage de base, B. Produire au moins une structure de dopage sélectif sur la face avant (2) du substrat semi-conducteur par création, sur la face avant (2), d'une région de faible dopage plane (4) présentant un premier profil de dopage dans le substrat semi-conducteur, et par création, dans la première région de faible dopage, d'au moins une région de fort dopage local présentant un second profil de dopage, la région de faible dopage (4) et la région de fort dopage étant respectivement d'un type de dopage d'émetteur, opposé au type de dopage de base, la région de fort dopage étant conçue avec une plus faible résistance de ligne transversale que la région de faible dopage, et C. Appliquer au moins une structure de contact d'émetteur métallique sur la face avant (2) du substrat semi-conducteur, éventuellement sur d'autres couches intermédiaires, au moins dans les régions de fort dopage local, laquelle structure de contact d'émetteur est reliée de manière électroconductrice à la région de fort dopage, puis appliquer au moins une structure de contact de base métallique sur la face arrière du substrat semi-conducteur, éventuellement sur d'autres couches intermédiaires, laquelle structure de contact de base est reliée de manière électroconductrice à une région du substrat semi-conducteur à dopage de base. Il est essentiel qu'entre les étapes B et C du procédé, éventuellement par l'ajout d'autres étapes intermédiaires, une couche d'oxyde de silicium (5a, 5b) soit respectivement et simultanément produite par oxydation thermique dans une étape de procédé B1 sur la face avant et la face arrière du substrat semi-conducteur, au moins la couche d'oxyde de silicium de la face avant présentant une épaisseur inférieure à 150 nm.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Solarzelle, folgende Verfahrensschritte umfassend: A. Texturieren einer Vorderseite (2) eines Halbleitersubstrates; B. Erzeugen einer selektiven Emitterdotierung an der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates, indem an der Vorderseite (2) ein flächiger Niedrigdotierbereich (4) und innerhalb dessen ein lokaler Hochdotierbereich (3) ausgebildet werden; und C. Aufbringen mindestens einer metallischen Emitterkontaktstruktur auf der Vorderseite (2) des Halbleitersubstrates, zumindest in den Bereichen lokaler Hochdotierung, wobei zwischen den Verfahrensschritten B und C in einem Verfahrensschritt B1 auf Vorder- und Rückseite des Halbleitersubstrates gleichzeitig jeweils eine Siliziumoxidschicht (5a, 5b) mittels thermischer Oxidation erzeugt wird.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)