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1. (WO2011155928) CIRCUIT INTÉGRÉ TRIDIMENSIONNEL
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N° de publication : WO/2011/155928 N° de la demande internationale : PCT/US2010/037830
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 08.06.2010
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
Déposants :
SNIDER, Gregory Stuart [US/US]; US (UsOnly)
HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P. [US/US]; 11445 Compaq Center Drive W. Houston, Texas 77070, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
SNIDER, Gregory Stuart; US
Mandataire :
COLLINS, David W.; Hewlett-Packard Company Intellectual Property Administration 3404 E. Harmony Road Mail Stop 35 Fort Collins, Colorado 80528, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ TRIDIMENSIONNEL
Abrégé :
(EN) A three-dimensional integrated circuit comprising a submicroscale ralegrated- circuit substrate (103) and n nanoscale layers (104-115) stacked above the submicroscale integrated-circuit substrate, a nanowire-junction memory element in each of which (640) is independently controlled by two submicroscale subcomponents (602, 620) within the submicroscale integrated-circuit substrate, the first submicroscale subcomponent (602) coupled through a first set of switches (630) to each of the n nanowire-junction memory elements and the second submicroscale subcomponent (620) coupled through a second set of switches (632) to each of the « nanowire-junction memory elements, the total number of switches in the first and second sets of switches less than 2n, and n greater than or equal to 2.
(FR) La présente invention a trait à un circuit intégré tridimensionnel qui comprend un substrat de circuit intégré à l'échelle sous-microscopique (103) et n couches à l'échelle nanométrique (104-115) superposées au-dessus du substrat de circuit intégré à l'échelle sous-microscopique, un élément de mémoire à jonction de nanofil présent dans chacune d'entre elles (640) étant indépendamment contrôlé par deux sous-composants à l'échelle sous-microscopique (602, 620) à l'intérieur du substrat de circuit intégré à l'échelle sous-microscopique, le premier sous-composant à l'échelle sous-microscopique (602) étant couplé au moyen d'un premier ensemble de commutateurs (630) à chacun des n éléments de mémoire à jonction de nanofil et le second sous-composant à l'échelle sous-microscopique (620} étant couplé au moyen d'un second ensemble de commutateurs (632) à chacun des n éléments de mémoire à jonction de nanofil, le nombre total de commutateurs dans les premier et second ensembles de commutateurs étant inférieur à 2n, et n étant supérieur ou égal à 2.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)