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1. (WO2011155121) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/155121 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/002653
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 12.05.2011
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 9/07 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5
Détails des systèmes de télévision
30
Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335
utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] 
369
architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
N
TRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
9
Détails des systèmes de télévision en couleurs
04
Générateurs de signaux d'image
07
avec une seule tête de lecture
Déposants :
高瀬 雅之 TAKASE, Masayuki; null (UsOnly)
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 大阪府門真市大字門真1006番地 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
Inventeurs :
高瀬 雅之 TAKASE, Masayuki; null
Mandataire :
新居 広守 NII, Hiromori; 大阪府大阪市淀川区西中島5丁目3番10号タナカ・イトーピア新大阪ビル6階新居国際特許事務所内 c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg., 3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011, JP
Données relatives à la priorité :
2010-13153908.06.2010JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 固体撮像装置及びその製造方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a solid-state imaging device (100) which comprises: a semiconductor substrate (101); a wiring layer that is formed on the semiconductor substrate; a plurality of lower electrodes (105b) and (105g) that are formed on the wiring layer and correspond to a plurality of pixels; an organic photoelectric conversion film (106) that is formed on the plurality of lower electrodes (105b) and (105g); an upper electrode (107) that is formed on the organic photoelectric conversion film (106); and a plurality of color filters that are formed on the upper electrode (107) and correspond to the plurality of pixels. The plurality of color filters include a color filter (108g) that mainly transmits light having a first wavelength and a color filter (108b) that mainly transmits light having a second wavelength that is shorter than the first wavelength. The thickness of the organic photoelectric conversion film (106) at a position located below the color filter (108b) is thicker than the thickness of the organic photoelectric conversion film (106) at a position located below the first color filter.
(FR) La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs (100), comprenant : un substrat semi-conducteur (101) ; une couche de câblage, formée sur le substrat semi-conducteur ; une pluralité d'électrodes inférieures (105b) et (105g), formées sur la couche de câblage et correspondant à une pluralité de pixels ; un film de conversion photoélectrique organique (106), formé sur la pluralité d'électrodes inférieures (105b) et (105g) ; une électrode supérieure (107), formée sur le film de conversion photoélectrique organique (106) ; et une pluralité de filtres de couleur, formés sur l'électrode supérieure (107), et correspondant à la pluralité de pixels. La pluralité de filtres de couleur comprend un filtre de couleur (108g) qui transmet principalement la lumière ayant une première longueur d'onde, et un filtre de couleur (108b) qui transmet principalement la lumière ayant une seconde longueur d'onde plus courte que la première longueur d'onde. L'épaisseur du film de conversion photoélectrique organique (106), au niveau d'une position située en dessous du filtre de couleur (108b), est plus importante que l'épaisseur du film de conversion photoélectrique organique (106) au niveau d'une position située en dessous du premier filtre de couleur.
(JA)  本発明に係る固体撮像装置(100)は、半導体基板(101)と、半導体基板の上に形成された配線層と、配線層の上に形成された、複数の画素に対応する複数の下部電極(105b)及び(105g)と、複数の下部電極(105b)及び(105g)上に形成された有機光電変換膜(106)と、有機光電変換膜(106)上に形成された上部電極(107)と、上部電極(107)の上に形成された、複数の画素に対応する複数のカラーフィルタとを備え、複数のカラーフィルタは、主に第1の波長の光を透過するカラーフィルタ(108g)と、主に第1の波長よりも短い第2の波長の光を透過するカラーフィルタ(108b)とを含み、カラーフィルタ(108b)の下方に位置する有機光電変換膜(106)の厚さは、第1のカラーフィルタの下方に位置する有機光電変換膜(106)の厚さより厚い。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)