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1. (WO2011155121) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/155121    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/002653
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 12.05.2011
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 9/07 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
TAKASE, Masayuki; (US Seulement)
Inventeurs : TAKASE, Masayuki;
Mandataire : NII, Hiromori; c/o NII Patent Firm, 6F, Tanaka Ito Pia Shin-Osaka Bldg., 3-10, Nishi Nakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-city, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-131539 08.06.2010 JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 固体撮像装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a solid-state imaging device (100) which comprises: a semiconductor substrate (101); a wiring layer that is formed on the semiconductor substrate; a plurality of lower electrodes (105b) and (105g) that are formed on the wiring layer and correspond to a plurality of pixels; an organic photoelectric conversion film (106) that is formed on the plurality of lower electrodes (105b) and (105g); an upper electrode (107) that is formed on the organic photoelectric conversion film (106); and a plurality of color filters that are formed on the upper electrode (107) and correspond to the plurality of pixels. The plurality of color filters include a color filter (108g) that mainly transmits light having a first wavelength and a color filter (108b) that mainly transmits light having a second wavelength that is shorter than the first wavelength. The thickness of the organic photoelectric conversion film (106) at a position located below the color filter (108b) is thicker than the thickness of the organic photoelectric conversion film (106) at a position located below the first color filter.
(FR)La présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs (100), comprenant : un substrat semi-conducteur (101) ; une couche de câblage, formée sur le substrat semi-conducteur ; une pluralité d'électrodes inférieures (105b) et (105g), formées sur la couche de câblage et correspondant à une pluralité de pixels ; un film de conversion photoélectrique organique (106), formé sur la pluralité d'électrodes inférieures (105b) et (105g) ; une électrode supérieure (107), formée sur le film de conversion photoélectrique organique (106) ; et une pluralité de filtres de couleur, formés sur l'électrode supérieure (107), et correspondant à la pluralité de pixels. La pluralité de filtres de couleur comprend un filtre de couleur (108g) qui transmet principalement la lumière ayant une première longueur d'onde, et un filtre de couleur (108b) qui transmet principalement la lumière ayant une seconde longueur d'onde plus courte que la première longueur d'onde. L'épaisseur du film de conversion photoélectrique organique (106), au niveau d'une position située en dessous du filtre de couleur (108b), est plus importante que l'épaisseur du film de conversion photoélectrique organique (106) au niveau d'une position située en dessous du premier filtre de couleur.
(JA) 本発明に係る固体撮像装置(100)は、半導体基板(101)と、半導体基板の上に形成された配線層と、配線層の上に形成された、複数の画素に対応する複数の下部電極(105b)及び(105g)と、複数の下部電極(105b)及び(105g)上に形成された有機光電変換膜(106)と、有機光電変換膜(106)上に形成された上部電極(107)と、上部電極(107)の上に形成された、複数の画素に対応する複数のカラーフィルタとを備え、複数のカラーフィルタは、主に第1の波長の光を透過するカラーフィルタ(108g)と、主に第1の波長よりも短い第2の波長の光を透過するカラーフィルタ(108b)とを含み、カラーフィルタ(108b)の下方に位置する有機光電変換膜(106)の厚さは、第1のカラーフィルタの下方に位置する有機光電変換膜(106)の厚さより厚い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)