WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Options
Langue d'interrogation
Stemming/Racinisation
Trier par:
Nombre de réponses par page
1. (WO2011155009) DISPOSITIF DE CAPTEUR D'IMAGE À SEMICONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/155009 N° de la demande internationale : PCT/JP2010/007374
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 20.12.2010
CIB :
H01L 27/148 (2006.01) ,H01L 27/14 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
148
Capteurs d'images à couplage de charge
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
Déposants : TANAKA, Hiroshi; null (UsOnly)
PANASONIC CORPORATION[JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : TANAKA, Hiroshi; null
Mandataire : NAKAJIMA, Shiro; 6F, Yodogawa 5-Bankan, 2-1, Toyosaki 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5310072, JP
Données relatives à la priorité :
2010-13131508.06.2010JP
Titre (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF DE CAPTEUR D'IMAGE À SEMICONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
(JA) 固体撮像装置及びその製造方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a solid-state image pickup device which is provided with: a silicon substrate (1), which is provided with a photodiode (2) and a vertical transfer channel (3); a light blocking film (5), which covers the upper surface (1c) of the silicon substrate (1), and has an opening (5a) provided in a region that corresponds to the photodiode (2); and an optical waveguide section (20), which is composed of a cladding portion (6a) and a core portion (7a), said cladding portion and core portion being provided in the opening (5a) and having different refractive indexes, and which guides downward the light inputted from above and outputs the light from a light outputting surface (20a). The silicon substrate (1) region that corresponds to the vertical transfer channel (3), said region being on the upper surface (1c), is specified as a reference surface (S), a recessed section (21) that forms a step lower than the reference surface (S) is provided in the upper surface (1c) region that corresponds to the photodiode (2), and the light outputting surface (20a) of the optical waveguide section (20) is disposed in the recessed section (21) on the silicon substrate (1), thereby having the light outputting surface (20a) lower than the reference surface (S) of the silicon substrate (1).
(FR) La présente invention concerne un dispositif de capteur d'image à semiconducteurs, comprenant : un substrat de silicium (1), comportant une photodiode (2) et un canal de transfert vertical (3) ; un film de blocage de lumière (5), qui recouvre la surface supérieure (1c) du substrat de silicium (1), et qui comporte une ouverture (5a) située dans une région correspondant à la photodiode (2) ; et une section de guide d'onde optique (20), qui est composée d'une partie de gaine (6a) et d'une partie de cœur (7a), ladite partie de gaine et ladite partie de cœur se situant dans l'ouverture (5a) et ayant des indices de réfraction différents, et qui guide vers le bas la lumière entrée par-dessus et qui sort la lumière par une surface de sortie de lumière (20a). La région de substrat de silicium (1) qui correspond au canal de transfert vertical (3), ladite région étant située sur la surface supérieure (1c), est spécifiée en tant que surface de référence (S). Une section en creux (21), qui forme une marche située plus bas que la surface de référence (S), est située dans la région de surface supérieure (1c) qui correspond à la photodiode (2). La surface de sortie de lumière (20a) de la section de guide d'onde optique (20) est disposée dans la section en creux (21) du substrat de silicium (1), la surface de sortie de lumière (20a) se trouvant de ce fait plus bas que la surface de référence (S) du substrat de silicium (1).
(JA)  フォトダイオード2および垂直転送チャネル3が設けられたシリコン基板1と、シリコン基板1の上面1cを覆いかつフォトダイオード2に相当する領域に開口部5aが設けられた遮光膜5と、開口部5a内に設けられた屈折率の異なるクラッド部6aおよびコア部7aからなり、上方から入射された光を下方に導き、光出射面20aから出射させる光導波路部20とを備えている。シリコン基板1の上面1cの垂直転送チャネル3に相当する領域を基準面Sとして、上面1cのフォトダイオード2に相当する領域に、基準面Sよりも低い段差を形成する凹部21を設け、光導波路部20の光出射面20aをシリコン基板1の凹部21内に配置することにより、光出射面20aをシリコン基板1の基準面Sよりも低くした。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)