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1. (WO2011154857) PASSIVATION POUR UN DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/154857    N° de la demande internationale :    PCT/IB2011/052071
Date de publication : 15.12.2011 Date de dépôt international : 11.05.2011
CIB :
H01L 33/44 (2010.01), H01L 33/46 (2010.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY LLC [US/US]; 370 West Trimble Road MS 91/MG San Jose, California 95131 (US) (Tous Sauf US).
DIANA, Frederic S. [FR/US]; (US) (US Seulement).
CHOY, Henry Kwong-Hin [CA/US]; (US) (US Seulement).
MO, Qingwei [CN/US]; (US) (US Seulement).
RUDAZ, Serge L. [US/US]; (US) (US Seulement).
WEI, Frank L. [US/US]; (US) (US Seulement).
STEIGERWALD, Daniel A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DIANA, Frederic S.; (US).
CHOY, Henry Kwong-Hin; (US).
MO, Qingwei; (US).
RUDAZ, Serge L.; (US).
WEI, Frank L.; (US).
STEIGERWALD, Daniel A.; (US)
Mandataire : BEKKERS, Joost, J.J.; High Tech Campus Building 44 NL-5656 AE Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
12/795,272 07.06.2010 US
Titre (EN) PASSIVATION FOR A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) PASSIVATION POUR UN DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)Passivation layer (34) is disposed over a side of a semiconductor structure (20) including a light emitting layer (24) disposed between an n-type region (22) and a p-type region (26). A material (38) configured to adhere to an underfill (58) is disposed over an etched surface of the semiconductor structure.
(FR)Une couche de passivation (34) est disposée sur un côté d'une structure à semi-conducteur (20) comprenant une couche électroluminescente (24) prise en sandwich entre une zone dopée N (22) et une zone dopée P (26). Une substance (38) configurée pour adhérer à un manque de substance (58) est disposée au-dessus d'une surface mordancée de la structure à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)