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1. (WO2011153420) PROCÉDÉ PERMETTANT D'AMÉLIORER LA NON-UNIFORMITÉ ET LE DÉBIT DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2011/153420 N° de la demande internationale : PCT/US2011/039046
Date de publication : 08.12.2011 Date de dépôt international : 03.06.2011
CIB :
H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : PARK, Kie-Jin[KR/US]; US
LEESER, Karl[US/US]; US
GREER, Frank[US/US]; US
COHEN, David[US/US]; US
NOVELLUS SYSTEMS, INC.[US/US]; 4000 North First Street San Jose, California 95134, US (AllExceptUS)
Inventeurs : PARK, Kie-Jin; US
LEESER, Karl; US
GREER, Frank; US
COHEN, David; US
Mandataire : GLADE, Stephen, C.; Weaver Austin Villeneuve & Sampson LLP P. O. Box 70250 Oakland, California 94612-0250, US
Données relatives à la priorité :
61/351,05803.06.2010US
Titre (EN) METHOD OF IMPROVING FILM NON-UNIFORMITY AND THROUGHPUT
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT D'AMÉLIORER LA NON-UNIFORMITÉ ET LE DÉBIT DE FILM
Abrégé : front page image
(EN) Methods, apparatus, and systems for depositing materials with gaseous precursors are provided. In certain implementations, the methods involve providing a wafer substrate to a chamber of an apparatus. The apparatus includes a showerhead to deliver a gas to the chamber, a volume, and an isolation valve between the volume and the showerhead. A gas is delivered the volume when the isolation valve is closed, pressurizing the volume. The isolation valve is opened to allow the gas to flow to the showerhead when the gas is being delivered to the volume. A material is formed on the wafer substrate using the gas. In some implementations, releasing the pressurized gas from the volume reduces the duration of time to develop a spatially uniform gas flow across the showerhead.
(FR) La présente invention a trait à des procédés, à un appareil et à des systèmes permettant de déposer des matériaux avec des précurseurs gazeux. Selon certains modes de réalisation, les procédés comprennent une étape consistant à fournir un substrat de tranche à la chambre d'un appareil. L'appareil inclut une pomme de douche permettant de fournir un gaz à la chambre, un volume et un robinet d'isolement entre le volume et la pomme de douche. Un gaz est fourni au volume lorsque le robinet d'isolement est fermé, ce qui permet de mettre sous pression le volume. Le robinet d'isolement est ouvert de manière à permettre au gaz s'écouler vers la pomme de douche lorsqu'il est fourni au volume. Un matériau est formé sur le substrat de tranche en utilisant le gaz. Selon certains modes de réalisation, la libération du gaz sous pression à partir du volume permet de réduire la durée nécessaire pour développer un écoulement de gaz uniforme dans l'espace à travers la pomme de douche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)