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1. WO2011151757 - PRODUCTION D'UNE FEUILLE MONOCRISTALLINE

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Numéro de publication WO/2011/151757
Date de publication 08.12.2011
N° de la demande internationale PCT/IB2011/052237
Date du dépôt international 23.05.2011
CIB
C30B 11/10 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
04en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
08tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation
10Constituants solides ou liquides, p.ex. méthode de Verneuil
C30B 11/12 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
11Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p.ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
04en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
08tous les constituants du cristal étant ajoutés pendant la cristallisation
12Constituants gazeux, p.ex. croissance vapeur-liquide-solide
C30B 13/18 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
13Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone
16Chauffage de la zone fondue
18l'élément chauffant étant en contact avec, ou immergé dans, la zone fondue
C30B 15/08 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
08Tirage vers le bas
H01L 31/18 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
18Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
C30B 11/003
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
003Heating or cooling of the melt or the crystallised material
C30B 11/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
02without using solvents
C30B 11/10
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
04adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
08every component of the crystal composition being added during the crystallisation
10Solid or liquid components, e.g. Verneuil method
C30B 11/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
11Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
04adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
08every component of the crystal composition being added during the crystallisation
12Vaporous components, e.g. vapour-liquid-solid-growth
C30B 13/18
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
13Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
16Heating of the molten zone
18the heating element being in contact with, or immersed in, the molten zone
C30B 15/002
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
002Continuous growth
Déposants
  • INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US]/[US] (AllExceptUS)
  • BJOERK, Mikael T. [SE]/[CH] (UsOnly)
  • RIEL, Heike E. [DE]/[CH] (UsOnly)
  • SCHMID, Heinz [CH]/[CH] (UsOnly)
Inventeurs
  • BJOERK, Mikael T.
  • RIEL, Heike E.
  • SCHMID, Heinz
Mandataires
  • MEYER, Michael
Données relatives à la priorité
10164535.631.05.2010EP
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PRODUCING A MONO-CRYSTALLINE SHEET
(FR) PRODUCTION D'UNE FEUILLE MONOCRISTALLINE
front page image
Abrégé
(EN) A method for producing a mono-crystalline sheet (11), in particular a silicon sheet (11), comprises: providing at least two aperture elements (1, 2) forming a gap (3) in-between; providing a molten alloy (4) comprising silicon in the gap (3) between said at least two aperture elements (1, 2); providing a gaseous precursor medium (5) comprising silicon in the vicinity of the molten alloy (4); providing a silicon nucleation crystal (6) in the vicinity of the molten alloy (4); and bringing in contact said silicon nucleation crystal (6) and the molten alloy (4). A device (10, 20) for producing a mono-crystalline sheet (11), in particular a silicon sheet (11), comprises at least two aperture elements (1, 2) at a predetermined distance (D) from each other thereby forming a gap (3), and being adapted to be heated for holding a molten alloy (4) comprising silicon by surface tension in the gap (3) between the aperture elements (1,2 ); a means (15) for supplying a gaseous precursor medium (5) comprising silicon in the vicinity of the molten alloy (4); and a positioning means (16) for holding and moving a nucleation crystal (6) in the vicinity of the molten alloy (2).
(FR) L'invention porte sur un procédé de production d'une feuille monocristalline (11), en particulier une feuille de silicium (11). Ce procédé consiste à se procurer au moins deux éléments d'ouverture (1, 2) formant un espace (3) entre eux ; disposer un alliage fondu (4) comprenant du silicium dans l'espace (3) entre lesdits au moins deux éléments d'ouverture (1, 2) ; disposer un milieu précurseur gazeux (5) comprenant du silicium au voisinage de l'alliage fondu (4) ; disposer un cristal (6) de germination du silicium au voisinage de l'alliage fondu (4) ; et mettre en contact ledit cristal (6) de germination du silicium avec l'alliage fondu (4). L'invention porte également sur un dispositif (10, 20) de production d'une feuille monocristalline (11), en particulier d'une feuille de silicium (11), qui comprend au moins deux éléments d'ouverture (1, 2), à une distance prédéterminée (D) l'un de l'autre de façon à former un espace (3), et étant conçus pour être chauffés pour maintenir un alliage fondu (4) comprenant du silicium, sous l'effet de la tension superficielle, dans l'espace (3) situé entre les éléments d'ouverture (1, 2) ; un moyen (15) pour disposer un milieu précurseur gazeux (5) comprenant du silicium au voisinage de l'alliage fondu (4) ; et un moyen de positionnement (16) pour maintenir et déplacer un cristal de germination (6) au voisinage de l'alliage fondu (2).
Documents de brevet associés
US20130058827
CN102906315
DE112011100856
GB2494565
JP2013530530
US20170009372
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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