(EN) A method for producing a mono-crystalline sheet (11), in particular a silicon sheet (11), comprises: providing at least two aperture elements (1, 2) forming a gap (3) in-between; providing a molten alloy (4) comprising silicon in the gap (3) between said at least two aperture elements (1, 2); providing a gaseous precursor medium (5) comprising silicon in the vicinity of the molten alloy (4); providing a silicon nucleation crystal (6) in the vicinity of the molten alloy (4); and bringing in contact said silicon nucleation crystal (6) and the molten alloy (4). A device (10, 20) for producing a mono-crystalline sheet (11), in particular a silicon sheet (11), comprises at least two aperture elements (1, 2) at a predetermined distance (D) from each other thereby forming a gap (3), and being adapted to be heated for holding a molten alloy (4) comprising silicon by surface tension in the gap (3) between the aperture elements (1,2 ); a means (15) for supplying a gaseous precursor medium (5) comprising silicon in the vicinity of the molten alloy (4); and a positioning means (16) for holding and moving a nucleation crystal (6) in the vicinity of the molten alloy (2).
(FR) L'invention porte sur un procédé de production d'une feuille monocristalline (11), en particulier une feuille de silicium (11). Ce procédé consiste à se procurer au moins deux éléments d'ouverture (1, 2) formant un espace (3) entre eux ; disposer un alliage fondu (4) comprenant du silicium dans l'espace (3) entre lesdits au moins deux éléments d'ouverture (1, 2) ; disposer un milieu précurseur gazeux (5) comprenant du silicium au voisinage de l'alliage fondu (4) ; disposer un cristal (6) de germination du silicium au voisinage de l'alliage fondu (4) ; et mettre en contact ledit cristal (6) de germination du silicium avec l'alliage fondu (4). L'invention porte également sur un dispositif (10, 20) de production d'une feuille monocristalline (11), en particulier d'une feuille de silicium (11), qui comprend au moins deux éléments d'ouverture (1, 2), à une distance prédéterminée (D) l'un de l'autre de façon à former un espace (3), et étant conçus pour être chauffés pour maintenir un alliage fondu (4) comprenant du silicium, sous l'effet de la tension superficielle, dans l'espace (3) situé entre les éléments d'ouverture (1, 2) ; un moyen (15) pour disposer un milieu précurseur gazeux (5) comprenant du silicium au voisinage de l'alliage fondu (4) ; et un moyen de positionnement (16) pour maintenir et déplacer un cristal de germination (6) au voisinage de l'alliage fondu (2).