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1. (WO2011148830) FILM AU NITRURE DE SILICIUM D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ AINSI QUE DISPOSITIF DE FABRICATION DE FILM AU NITRURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   
N° de publication : WO/2011/148830 N° de la demande internationale : PCT/JP2011/061363
Date de publication : 01.12.2011 Date de dépôt international : 18.05.2011
CIB :
H01L 21/318 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C23C 16/507 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : NISHIKAWA Seiji[JP/JP]; JP (UsOnly)
MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.[JP/JP]; 16-5, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1088215, JP (AllExceptUS)
Inventeurs : NISHIKAWA Seiji; JP
Mandataire : MITSUISHI Toshiro; Mitsuishi Law and Patent Office 9-15, Akasaka 1-chome Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité :
2010-12225228.05.2010JP
Titre (EN) SILICON NITRIDE FILM OF SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SILICON NITRIDE FILM
(FR) FILM AU NITRURE DE SILICIUM D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ AINSI QUE DISPOSITIF DE FABRICATION DE FILM AU NITRURE DE SILICIUM
(JA) 半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed are: a silicon nitride film of a semiconductor element, which is formed by applying a bias power and appropriately controls hydrogen leaving from the silicon nitride film; and a method and apparatus for producing a silicon nitride film. Specifically disclosed is a silicon nitride film which is formed on a substrate (19) by plasma processing and used in a semiconductor element. If the silicon nitride film is in contact with a film (41) to which supply of hydrogen is required to be shut off, the silicon nitride film is configured of a biased SiN (31) that is formed by applying a bias to the substrate (19) and an unbiased SiN (32) that is formed without applying a bias to the substrate (19) and the unbiased SiN (32) is arranged on the side on which the silicon nitride film is in contact with the film (41).
(FR) L'invention concerne un film au nitrure de silicium d'élément à semi-conducteurs dans lequel un hydrogène se libérant du film au nitrure de silicium formé par application d'une énergie de polarisation, est régulé de manière appropriée. L'invention concerne également un procédé et un dispositif de fabrication de film au nitrure de silicium. Le film au nitrure de silicium mis en œuvre dans un élément à semi-conducteurs, est formé sur un substrat (19) par traitement au plasma. Lorsque le film au nitrure de silicium est en contact avec un film (41) bloquant l'alimentation en hydrogène, le film au nitrure de silicium est configuré à partir d'une polarisation SiN (31) formée par application d'une polarisation sur le substrat (19), ainsi qu'à partir d'une non polarisation SiN (32) formée par non application d'une polarisation sur le substrat (19), et le film au nitrure de silicium est disposé du côté duquel la non polarisation SiN (32) est en contact avec le film (41).
(JA) バイアスパワーを印加して成膜した窒化珪素膜から離脱する水素を適正に制御する半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。そのため、プラズマ処理により基板(19)上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜(41)と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板(19)にバイアスを印加して形成したバイアスＳｉＮ(31)と基板(19)にバイアスを印加しないで形成したアンバイアスＳｉＮ(32)とから構成すると共に、アンバイアスＳｉＮ(32)を膜(41)に接する側に配置する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)