(EN) Disclosed are: a silicon nitride film of a semiconductor element, which is formed by applying a bias power and appropriately controls hydrogen leaving from the silicon nitride film; and a method and apparatus for producing a silicon nitride film. Specifically disclosed is a silicon nitride film which is formed on a substrate (19) by plasma processing and used in a semiconductor element. If the silicon nitride film is in contact with a film (41) to which supply of hydrogen is required to be shut off, the silicon nitride film is configured of a biased SiN (31) that is formed by applying a bias to the substrate (19) and an unbiased SiN (32) that is formed without applying a bias to the substrate (19) and the unbiased SiN (32) is arranged on the side on which the silicon nitride film is in contact with the film (41).
(FR) L'invention concerne un film au nitrure de silicium d'élément à semi-conducteurs dans lequel un hydrogène se libérant du film au nitrure de silicium formé par application d'une énergie de polarisation, est régulé de manière appropriée. L'invention concerne également un procédé et un dispositif de fabrication de film au nitrure de silicium. Le film au nitrure de silicium mis en œuvre dans un élément à semi-conducteurs, est formé sur un substrat (19) par traitement au plasma. Lorsque le film au nitrure de silicium est en contact avec un film (41) bloquant l'alimentation en hydrogène, le film au nitrure de silicium est configuré à partir d'une polarisation SiN (31) formée par application d'une polarisation sur le substrat (19), ainsi qu'à partir d'une non polarisation SiN (32) formée par non application d'une polarisation sur le substrat (19), et le film au nitrure de silicium est disposé du côté duquel la non polarisation SiN (32) est en contact avec le film (41).
(JA) バイアスパワーを印加して成膜した窒化珪素膜から離脱する水素を適正に制御する半導体素子の窒化珪素膜、窒化珪素膜の製造方法及び装置を提供する。そのため、プラズマ処理により基板(19)上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜(41)と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板(19)にバイアスを印加して形成したバイアスSiN(31)と基板(19)にバイアスを印加しないで形成したアンバイアスSiN(32)とから構成すると共に、アンバイアスSiN(32)を膜(41)に接する側に配置する。