Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2011140528 - SUBSTRATS ET PROCÉDÉS DE FORMATION DE STRUCTURES DE FILM POUR FACILITER L'ÉPITAXIE DE CARBURE DE SILICIUM

Numéro de publication WO/2011/140528
Date de publication 10.11.2011
N° de la demande internationale PCT/US2011/035655
Date du dépôt international 06.05.2011
CIB
H01L 21/329 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
329les dispositifs comportant une ou deux électrodes, p.ex. diodes
C23C 16/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
02Pré-traitement du matériau à revêtir
C23C 16/32 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
32Carbures
CPC
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02488
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02488Insulating materials
H01L 21/02529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02529Silicon carbide
H01L 21/0262
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
H01L 21/02658
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02656Special treatments
02658Pretreatments
Déposants
  • QS SEMICONDUCTOR AUSTRALIA PTY LTD. [AU]/[US] (AllExceptUS)
  • DIMITRIJEV, Sima [AU]/[AU] (UsOnly)
  • WANG, Li [CN]/[AU] (UsOnly)
  • HAN, Jisheng [AU]/[AU] (UsOnly)
  • IACOPI, Alan [AU]/[AU] (UsOnly)
  • HARRISON, Herbert Barry [AU]/[AU] (UsOnly)
Inventeurs
  • DIMITRIJEV, Sima
  • WANG, Li
  • HAN, Jisheng
  • IACOPI, Alan
  • HARRISON, Herbert Barry
Mandataires
  • BACKUS, JR., Kenneth R.
Données relatives à la priorité
12/775,41906.05.2010US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SUBSTRATES AND METHODS OF FORMING FILM STRUCTURES TO FACILITATE SILICON CARBIDE EPITAXY
(FR) SUBSTRATS ET PROCÉDÉS DE FORMATION DE STRUCTURES DE FILM POUR FACILITER L'ÉPITAXIE DE CARBURE DE SILICIUM
Abrégé
(EN)
Embodiments of the invention relate generally to semiconductors and semiconductor fabrication techniques, and more particularly, to devices, integrated circuits, substrates, wafers and methods to form film structures to facilitate formation of silicon carbide epitaxy on a substrate, such as a silicon-based substrate. In some embodiments, a method of preparing a substrate for silicon carbide epitaxial layer formation can include forming an ultrathin layer of oxide that is configured to inhibit contaminants from interacting with a silicon-based substrate. Further, the method can include forming a carbonized film on the silicon-based substrate that is configured to inhibit contaminants from interacting with the silicon-based substrate. The carbonized film can be configured to be transitory as fabrication parameters are modified to form an epitaxial layer of silicon carbide.
(FR)
L'invention concerne de manière générale, selon des modes de réalisation, des semi-conducteurs et des techniques de fabrication de semi-conducteurs et, plus particulièrement, des dispositifs, des circuits intégrés, des substrats, des tranches et des procédés pour former des structures de film afin de faciliter la formation d'épitaxie de carbure de silicium sur un substrat, tel qu'un substrat à base de silicium. Dans certains modes de réalisation, un procédé de préparation d'un substrat pour la formation de couches épitaxiales de carbure de silicium peut comprendre la formation d'une couche ultramince d'oxyde qui est configurée pour empêcher les contaminants d'interagir avec un substrat à base de silicium. En outre, le procédé peut comprendre la formation d'un film carboné sur le substrat à base de silicium qui est configuré pour empêcher les contaminants d'interagir avec le substrat à base de silicium. Le film carboné peut être configuré pour être transitoire lorsque des paramètres de fabrication sont modifiés pour former une couche épitaxiale de carbure de silicium.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international