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1. (WO2011130693) PROCÉDÉ DE FAÇONNAGE DE MICRO-CANAUX TRAVERSANT UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/130693    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/032767
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 15.04.2011
CIB :
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O.Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED [JP/JP]; 24-1, Nishi-shinjuku 6-chome Shinjuku-ku Tokyo, 160-8366 (JP) (JP only).
JACOBSEN, Stuart, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
BURGESS, Byron, N. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JACOBSEN, Stuart, M.; (US).
BURGESS, Byron, N.; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren L.; Texas Instruments Incorporated Deputy General Patent Counsel P.O.Box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Représentant
commun :
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED; Texas Instruments Incorporated Deputy General Patent Counsel P.o.box 655474, Mail Station 3999 Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
12/761,085 15.04.2010 US
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING THROUGH-SUBSTRATE MICROCHANNELS
(FR) PROCÉDÉ DE FAÇONNAGE DE MICRO-CANAUX TRAVERSANT UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming large microchannels in an integrated circuit by etching an enclosed trench into the substrate and later thinning the backside to expose the bottom of the trenches and to remove the material enclosed by the trench to form the large microchannels. A method of simultaneously forming large and small microchannels. A method of forming structures on the backside of the substrate around a microchannel to mate with another device.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation de micro-canaux de grandes dimensions dans un circuit intégré en gravant chimiquement une tranchée fermée dans le substrat puis en amincissant la face arrière pour exposer le fond des tranchées et éliminer le matériau renfermé par la tranchée afin de former les grands micro-canaux. L'invention concerne également un procédé de formation simultanée de grands et de petits micro-canaux, ainsi qu'un procédé de formation de structures sur la face arrière du substrat autour d'un micro-canal en vue d'un couplage avec un autre dispositif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)