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1. (WO2011129763) STRUCTURE D'INTERCONNEXION ET PROCÉDÉ DE FORMATION ASSOCIÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/129763    N° de la demande internationale :    PCT/SG2010/000145
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 13.04.2010
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.07.2011    
CIB :
H01L 21/44 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01)
Déposants : AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH [SG/SG]; 1 Fusionopolis Way #20-10 Connexis Singapore 138632 (SG) (Tous Sauf US).
CHAI, Tai Chong [MY/SG]; (SG) (US Seulement).
HO, Soon Wee [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
LIAO, Ebin [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
KHAN, Oratti Navas [SG/SG]; (SG) (US Seulement).
VAIDYANATHAN, Kripesh [IN/SG]; (SG) (US Seulement)
Inventeurs : CHAI, Tai Chong; (SG).
HO, Soon Wee; (SG).
LIAO, Ebin; (SG).
KHAN, Oratti Navas; (SG).
VAIDYANATHAN, Kripesh; (SG)
Mandataire : GOH, Su Lin, Audrey; Viering, Jentschura & Partner LLP P.O. Box 1088 Rochor Post Office Rochor Road Singapore 911833 (SG)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) AN INTERCONNECT STRUCTURE AND A METHOD OF FORMING THE SAME
(FR) STRUCTURE D'INTERCONNEXION ET PROCÉDÉ DE FORMATION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)In an embodiment, an interconnect structure is provided. The interconnect structure may include a substrate including a bottom surface and a top surface arranged opposite to the bottom surface; a via formed in the substrate, the via including a sidewall; a conductive portion arranged in the via, wherein the conductive portion may have a thickness from the bottom surface to the top surface of the substrate which may be greater than its thickness from the sidewall of the via in a direction normal to the sidewall; and a dielectric portion arranged in the via and at least partially surrounded by the conductive portion. A method of forming an interconnect structure may also be provided.
(FR)La présente invention concerne une structure d'interconnexion. La structure d'interconnexion peut comprendre un substrat comportant une surface inférieure et une surface supérieure disposée à l'opposé de la surface inférieure ; un trou d'interconnexion formé dans le substrat, le trou d'interconnexion comprenant une paroi latérale ; une partie conductrice disposée dans le trou d'interconnexion, la partie conductrice pouvant présenter une épaisseur, allant de la surface inférieure à la surface supérieure du substrat, pouvant être supérieure à son épaisseur allant de la paroi latérale du trou d'interconnexion dans une direction perpendiculaire à la paroi latérale ; et une partie diélectrique disposée dans le trou d'interconnexion et entourée au moins en partie par la partie conductrice. L'invention concerne également un procédé de formation d'une structure d'interconnexion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)