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1. (WO2011128233) SOURCE DE LUMIÈRE LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/128233    N° de la demande internationale :    PCT/EP2011/055320
Date de publication : 20.10.2011 Date de dépôt international : 06.04.2011
CIB :
H01S 5/028 (2006.01), H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/024 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
BREIDENASSEL, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
AVRAMESCU, Adrian Stefan [RO/DE]; (DE) (US Seulement).
LELL, Alfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
TAUTZ, Sönke [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BREIDENASSEL, Andreas; (DE).
AVRAMESCU, Adrian Stefan; (DE).
LELL, Alfred; (DE).
TAUTZ, Sönke; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2010 015 197.1 16.04.2010 DE
Titre (DE) LASERLICHTQUELLE
(EN) LASER LIGHT SOURCE
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE LASER
Abrégé : front page image
(DE)Es wird eine Laserlichtquelle zur Abstrahlung von kohärenter elektromagnetischer Strahlung (10) mit einem vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung der kohärenten elektromagnetischen Strahlung mit einem aktiven Bereich (3) auf einem Substrat (2), wobei die kohärente elektromagnetische Strahlung im Betrieb mindestens von einem Hauptemissionsbereich (5) einer Strahlungsauskoppelfläche (4) mit einer Abstrahlrichtung (11) abgestrahlt wird und die Strahlungsauskoppelfläche (4) durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet ist, und einem Filterelement (13), das im Betrieb erzeugte kohärente elektromagnetische Strahlung (12), die von einem zum Hauptemissionsbereich (5) vertikal versetzten und räumlich getrennten Nebenemissionsbereich (6) der Strahlungsauskoppelfläche (4) abgestrahlt wird, im vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) unterdrückt.
(EN)The invention relates to a laser light source for emitting coherent electromagnetic radiation (10) having a vertical far-field radiation profile (121), having a series of semiconductor layers (1) for generating the coherent electromagnetic radiation comprising an active region (3) on a substrate (2), wherein the coherent electromagnetic radiation is emitted during operation in an emission direction (11) at least from a main emission region (5) of a radiation output surface (4), and the radiation output surface (4) is formed by a side surface of the sequence of semiconductor layers (1), and a filter element (13) that suppresses coherent electromagnetic radiation (12) in the vertical far-field radiation profile (121), wherein said radiation was generated during operation and emitted by an auxiliary emission region (6) of the radiation output surface (4), said auxiliary emission region being vertically offset from and spatially separated from the main emission region (5).
(FR)L'invention concerne une source de lumière laser pour l'émission d'un rayonnement électromagnétique cohérent (10) à profil de faisceau en champ lointain vertical (121), comprenant une suite de couches à semi-conducteurs (1) pour la production du rayonnement électromagnétique cohérent, présentant une zone active (3) sur un substrat (2), le rayonnement électromagnétique cohérent étant émis, lors du fonctionnement, suivant une direction d'émission (11), au moins par une zone d'émission principale (5) d'une surface de sortie de rayonnement (4), la surface de sortie de rayonnement (4) étant formée par une surface latérale de la suite de couches à semi-conducteurs (1), et un élément de filtrage (13) qui supprime le rayonnement électromagnétique cohérent (12) dans le profil de faisceau en champ lointain vertical (121), ledit rayonnement étant généré durant le fonctionnement et émis par une zone d'émission secondaire (6) de la surface de sortie de rayonnement (4), ladite zone d'émission secondaire étant décalée verticalement par rapport à la zone d'émission principale (5) et séparée spatialement de cette dernière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)