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1. (WO2011125290) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/125290    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/001517
Date de publication : 13.10.2011 Date de dépôt international : 15.03.2011
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    08.07.2011    
CIB :
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
YOKOGAWA, Toshiya; (US Seulement).
OYA, Mitsuaki; (US Seulement).
YAMADA, Atsushi; (US Seulement).
ISOZAKI, Akihiro; (US Seulement)
Inventeurs : YOKOGAWA, Toshiya; .
OYA, Mitsuaki; .
YAMADA, Atsushi; .
ISOZAKI, Akihiro;
Mandataire : OKUDA, Seiji; OKUDA & ASSOCIATES, 10th Floor, Osaka Securities Exchange Bldg., 8-16, Kitahama 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-085982 02.04.2010 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 窒化物系半導体素子およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The disclosed nitride semiconductor element is provided with: a layered nitride semiconductor structure (20) that has a p-type semiconductor region, the surface (12) of which is inclined at an angle between 1° and 5° with an m-plane; and an electrode (30) provided on top of the p-type semiconductor region. The p-type semiconductor region is formed from an AlxInyGazN (x+y+z = 1, x ≥ 0, y ≥ 0, z ≥ 0) layer (26). The electrode (30) contains a magnesium layer (32) and a silver layer (34) formed on top of the magnesium layer (32). The magnesium layer (32) is in contact with the surface (12) of the p-type semiconductor region in the layered semiconductor structure (20).
(FR)La présente invention concerne un élément semi-conducteur de nitrure comprenant : une structure semi-conductrice de nitrure stratifiée (20) qui a une région semi-conductrice de type p, dont la surface (12) est inclinée à un angle compris entre 1° et 5° par rapport à un plan m; et une électrode (30) disposée au-dessus de la région semi-conductrice de type p. La région semi-conductrice de type p est formée d'une couche de AlxInyGazN (x+y+z = 1, x ≥ 0, y ≥ 0, z ≥ 0) (26). L'électrode (30) contient une couche de magnésium (32) et une couche d'argent (34) formée au-dessus de la couche de magnésium (32). La couche de magnésium (32) est en contact avec la surface (12) de la région semi-conductrice de type p dans la structure semi-conductrice stratifiée (20).
(JA) 本発明の窒化物系半導体素子は、表面12がm面から1°以上5°以下の角度で傾斜したp型半導体領域を有する窒化物系の半導体積層構造20と、p型半導体領域上に設けられた電極30とを備える。p型半導体領域は、AlxInyGazN(x+y+z=1,x≧0, y≧0, z≧0)層26から形成されている。電極30は、Mg層32と、Mg層32の上に形成されたAg層34とを含み、Mg層32は、半導体積層構造20におけるp型半導体領域の表面12に接触している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)