WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2011123469) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE FORMATION D'IMAGE PAR PHOTOLUMINESCENCE À RÉSOLUTION TEMPORELLE POUR INSPECTION DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/123469    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/030394
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 29.03.2011
CIB :
G01J 3/40 (2006.01)
Déposants : INTEVAC, INC. [US/US]; 3560 Bassett Street Santa Clara, CA 95054 (US) (Tous Sauf US).
TRUE, Bruce [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TRUE, Bruce; (US)
Mandataire : HAYES, Jennifer; Nixon Peabody LLP 401 9th Street, N.W., Suite 900 Washington, DC 20004 (US)
Données relatives à la priorité :
61/318,738 29.03.2010 US
Titre (EN) TIME RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE IMAGING SYSTEMS AND METHODS FOR PHOTOVOLTAIC CELL INSPECTION
(FR) SYSTÈMES ET PROCÉDÉS DE FORMATION D'IMAGE PAR PHOTOLUMINESCENCE À RÉSOLUTION TEMPORELLE POUR INSPECTION DE CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES
Abrégé : front page image
(EN)A time-resolved photoluminescence technique is disclosed to image photovoltaic cells and wafers. The effective lifetime is measured directly using a photodetector that has a fast response. A pulsed light source flashes the wafer, generating excess carriers in the silicon. The rate of carrier recombination is monitored by imaging the photoluminescence decay over time. An effective lifetime can be extracted from the photoluminescence decay curve, which can be used to determine the quality of the photovoltaic cells and wafers.
(FR)L'invention porte sur une technique de photoluminescence à résolution temporelle pour former une image de cellules photovoltaïques et de tranches. La durée de vie effective est mesurée directement à l'aide d'un détecteur optique qui a une réponse rapide. Une source de lumière pulsée émet des flashs sur la tranche, générant des porteurs en excès dans le silicium. Le taux de recombinaison des porteurs est surveillé par la formation d'une image du déclin de la photoluminescence au cours du temps. Une durée de vie effective peut être extraite de la courbe du déclin de la photoluminescence, celle-ci pouvant être utilisée pour déterminer la qualité des cellules photovoltaïques et des tranches.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)