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1. (WO2011123217) DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE SILICIUM-OZONE AVEC CHARGE DE MOTIF RÉDUITE À L'AIDE DU DÉPÔT EN PHASE D'INCUBATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/123217    N° de la demande internationale :    PCT/US2011/027246
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 04.03.2011
CIB :
C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/50 (2006.01), C23C 16/04 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
KWESKIN, Sasha [US/US]; (US) (US Seulement).
GEE, Paul Edward [US/US]; (US) (US Seulement).
VENKATARAMAN, Shankar [US/US]; (US) (US Seulement).
SAPRE, Kedar [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KWESKIN, Sasha; (US).
GEE, Paul Edward; (US).
VENKATARAMAN, Shankar; (US).
SAPRE, Kedar; (US)
Mandataire : BERNARD, Eugene J.; Kilpatrick Townsend & Stockton LLP 1400 Wewatta Street, Suite 600 Denver, Colorado 80202 (US)
Données relatives à la priorité :
61/319,970 01.04.2010 US
12/891,149 27.09.2010 US
Titre (EN) SILICON-OZONE CVD WITH REDUCED PATTERN LOADING USING INCUBATION PERIOD DEPOSITION
(FR) DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE SILICIUM-OZONE AVEC CHARGE DE MOTIF RÉDUITE À L'AIDE DU DÉPÔT EN PHASE D'INCUBATION
Abrégé : front page image
(EN)Aspects of the disclosure pertain to methods of depositing conformal silicon oxide layers on patterned substrates. In embodiments, dielectric layers are deposited by flowing a silicon-containing precursor and ozone into a processing chamber such that a relatively uniform dielectric growth rate is achieved across the patterned substrate surface having heterogeneous materials and/or a heterogeneous pattern density distribution. The deposition of dielectric layers grown according to embodiments may have a reduced dependence on underlying material and pattern density while still being suitable for non-sacrificial applications. Reduction in dependence on pattern density is achieved by terminating deposition near the end of an incubation period. Multiple deposition cycles may be conducted in series since the beneficial nature of the incubation period may repeat after a pause in deposition.
(FR)Certains aspects de la présente invention concernent des procédés permettant de déposer des couches enrobantes d'oxyde de silicium sur des substrats à motifs gravés. Dans certains modes de réalisation, des couches diélectriques sont déposées en faisant couler un précurseur contenant du silicium et de l'ozone dans une chambre de traitement de façon à ce qu'une vitesse de croissance diélectrique relativement uniforme soit obtenue sur toute la surface du substrat à motifs gravés ayant des substances hétérogènes et/ou une distribution de densité de motifs hétérogène. Le dépôt de couches diélectriques dont la croissance se fait selon les modes de réalisation peut présenter une dépendance réduite à la densité de la substance et du motif sous-jacents tout en restant approprié pour des applications non sacrificielles. La réduction de la dépendance par rapport à la densité du motif s'obtient en interrompant le dépôt près de la fin d'une phase d'incubation. Plusieurs cycles de dépôt peuvent être effectués en série puisque la nature bénéfique de la phase d'incubation peut se répéter après une pause dans le dépôt.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)