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1. (WO2011122702) PROCÉDÉ DE NANOIMPRESSION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MOTIF D'AGENCEMENT DE GOUTTELETTES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/122702    N° de la demande internationale :    PCT/JP2011/058654
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 30.03.2011
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP) (Tous Sauf US).
WAKAMATSU, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OMATSU, Tadashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : WAKAMATSU, Satoshi; (JP).
OMATSU, Tadashi; (JP)
Mandataire : YANAGIDA, Masashi; YANAGIDA & Associates, 7F, Shin-Yokohama KS Bldg., 3-18-3, Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
Données relatives à la priorité :
2010-079085 30.03.2010 JP
61/354,939 15.06.2010 US
2010-218222 29.09.2010 JP
Titre (EN) NANOIMPRINTING METHOD, METHOD FOR PRODUCING A DROPLET ARRANGEMENT PATTERN, AND METHOD FOR FABRICATING SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ DE NANOIMPRESSION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MOTIF D'AGENCEMENT DE GOUTTELETTES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS
Abrégé : front page image
(EN)To suppress fluctuations in thickness of a residual layer and defects due to residual gas in a resist film, onto which a pattern of protrusions and recesses is transferred, in a nanoimprinting method that employs the ink jet method to coat a substrate with droplets of resist material. Droplets (D) are coated onto a substrate (3) such that the spaces (Wa) between the droplets (D) along an A direction which is substantially parallel to the direction of the lines of a linear patter of protrusions and recesses (P1) are longer than the spaces between the droplets (D) in a B direction which is substantially perpendicular to the A direction, in a nanoimprinting method that coats a substrate with the droplets (D) of a resist material using the ink jet method.
(FR)La présente invention permet de supprimer les variations d'épaisseur d'une couche résiduelle et les défauts causés par le gaz résiduel dans un film de réserve sur lequel est transféré un motif de protubérances et de renfoncements, dans un procédé de nanoimpression mettant en oeuvre le procédé par jet d'encre pour revêtir un substrat au moyen de gouttelettes de produit de réserve. Des gouttelettes (D) sont déposées sur un substrat (3) de sorte que les espaces (Wa) entre les gouttelettes (D) dans un sens A sensiblement parallèle au sens des lignes d'un motif linéaire de protubérances et de renfoncements (P1) soient plus longs que les espaces entre les gouttelettes (D) dans un sens B sensiblement perpendiculaire au sens A, dans un procédé de nanoimpression destiné à revêtir un substrat au moyen de gouttelettes (D) de produit de réserve par la mise en oeuvre du procédé par jet d'encre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)