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1. (WO2011121701) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SOLUTION FORMANT UN SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2011/121701    N° de la demande internationale :    PCT/JP2010/055566
Date de publication : 06.10.2011 Date de dépôt international : 29.03.2010
CIB :
H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (Tous Sauf US).
TANAKA, Isamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INAI, Seiichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKAWA, Yoshihide [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIMURA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMAMOTO, Sentaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TANAKA, Isamu; (JP).
INAI, Seiichiro; (JP).
OKAWA, Yoshihide; (JP).
NISHIMURA, Daisuke; (JP).
YAMAMOTO, Sentaro; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PROCESS FOR MANUFACTURE OF PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND SEMICONDUCTOR-FORMING SOLUTION
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SOLUTION FORMANT UN SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 光電変換装置の製法および半導体形成用溶液
Abrégé : front page image
(EN)A process for manufacturing a photoelectric conversion device, which comprises the steps of: adding a powder of a chalcogenated product of a Group-III-B element to an organic solvent containing a single source precursor comprising a Group-I-B element, a Group-III-B element and a chalcogen element to prepare a semiconductor-forming solution; and forming a semiconductor containing a (Group-I)-(Group-III)-(Group-VI) compound using the semiconductor-forming solution.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif de conversion photoélectrique qui comprend les étapes de : ajout d'une poudre d'un produit chalcogéné d'un élément du Groupe-III-B à un solvant organique contenant un seul précurseur source comprenant un élément du Groupe-I-B, un élément du Groupe-III-B et un élément à base de chalcogène afin de préparer une solution de formation de semi-conducteur ; et formation d'un semi-conducteur contenant un composé (Groupe-I)-(Groupe-III)-(Groupe-VI) en utilisant la solution de formation de semi-conducteur.
(JA) 光電変換装置の製法は、I-B族元素とIII-B族元素とカルコゲン元素とを含む単一源前駆体を含んだ有機溶媒に、III-B族元素のカルコゲン化物粉末を添加して、半導体形成用溶液を作製する工程と、前記半導体形成用溶液を用いてI-III-VI族化合物を含む半導体を形成する工程と、を具備する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)