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1. WO2011118658 - MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE

Numéro de publication WO/2011/118658
Date de publication 29.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/057039
Date du dépôt international 23.03.2011
CIB
H01L 21/683 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683pour le maintien ou la préhension
H02N 13/00 2006.1
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
NMACHINES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
13Embrayages ou dispositifs de maintien utilisant l'attraction électrostatique, p.ex. utilisant l'effet Johnson-Rahbek
CPC
B23Q 3/15
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
QDETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING
3Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
15Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
H01L 21/683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
H01L 21/6833
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
683for supporting or gripping
6831using electrostatic chucks
6833Details of electrostatic chucks
H02N 13/00
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
13Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Y10T 279/23
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
279Chucks or sockets
23with magnetic or electrostatic means
Déposants
  • TOTO株式会社 TOTO LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 堀 裕明 HORI, Hiroaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 近藤 俊平 KONDO, Shunpei [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 穴井 勇輝 ANAI, Yuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 板倉 郁夫 ITAKURA, Ikuo [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 内村 健志 UCHIMURA, Takeshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 穴田 和輝 ANADA, Kazuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 堀 裕明 HORI, Hiroaki
  • 近藤 俊平 KONDO, Shunpei
  • 穴井 勇輝 ANAI, Yuki
  • 板倉 郁夫 ITAKURA, Ikuo
  • 内村 健志 UCHIMURA, Takeshi
  • 穴田 和輝 ANADA, Kazuki
Mandataires
  • 日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko
Données relatives à la priorité
2010-06898224.03.2010JP
2011-06173818.03.2011JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) ELECTROSTATIC CHUCK
(FR) MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック
Abrégé
(EN) Provided is an electric chuck, which is equipped with a ceramic substrate that has a recess on the principal surface and an electrode inside, a temperature control substrate connected to the ceramic substrate, a first bonding agent in between the ceramic substrate and the temperature control substrate, and a heater installed in the recess of the ceramic substrate. The first bonding agent comprises a principal agent, amorphous filler and globular filler. The average diameter of the globular filler particles is greater than the maximum value for the minor axis of all amorphous filler particles. The thickness of the first bonding agent is equal to or greater than the average diameter of the globular filler particles. The width of the recess is greater than the width of the heater, and the depth of the recess is greater than the thickness of the heater. The heater is attached in the recess using a second bonding agent. A first distance between the principal surface of the temperature control substrate and the principal surface of the heater on the temperature control substrate side is longer than a second distance between the principal surface of the ceramic substrate and the principal surface of the temperature control substrate.
(FR) L'invention concerne un mandrin électrostatique équipé d'un substrat en céramique présentant un évidement sur la surface principale et une électrode à l'intérieur, un substrat de régulation de température connecté au substrat en céramique, un premier agent de liaison entre le substrat en céramique et le substrat de régulation de température, et un dispositif de chauffage installé dans l'évidement du substrat en céramique. Le premier agent de liaison comprend un agent principal, un agent de remplissage amorphe et un agent de remplissage globulaire. Le diamètre moyen des particules de l'agent de remplissage globulaire est supérieur à la valeur maximum pour l'axe le plus petit de toutes les particules de l'agent de remplissage amorphe. L'épaisseur du premier agent de liaison est égale ou supérieure au diamètre moyen des particules de l'agent de remplissage globulaire. La largeur de l'évidement est supérieur à la largeur du dispositif de chauffage, et la profondeur de l'évidement est supérieure à l'épaisseur du dispositif de chauffage. Le dispositif de chauffage est fixé dans l'évidement au moyen d'un second agent de liaison. Une première distance entre la surface principale du substrat de régulation de température et la surface principale du dispositif de chauffage sur le côté substrat de régulation de température est plus importante qu'une seconde distance entre la surface principale du substrat en céramique et la surface principale du substrat de régulation de température.
(JA)  主面に凹部が設けられ、内部に電極が設けられたセラミック板と、セラミック板に接合された温調プレートと、セラミック板と温調プレートとの間に設けられた第1の接合剤と、セラミック板の凹部内に設けられたヒータと、を備え、第1の接合剤は、主剤と、無定形フィラーと、球形フィラーと、を有し、球形フィラーの平均直径は、全ての無定形フィラーの短径の最大値よりも大きく、第1の接合剤の厚さは、球形フィラーの平均直径と同じか、もしくは大きく、凹部の幅は、ヒータの幅より広く、凹部の深さは、ヒータの厚さより深く、凹部内にヒータが第2の接合剤により接着され、ヒータの温調プレート側の主面と、温調プレートの主面と、の間の第1の距離が、セラミック板の主面と、温調プレートの主面と、の間の第2の距離よりも長い。
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