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1. WO2011118578 - ELÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT ANALYSEUR D'IMAGE

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Numéro de publication WO/2011/118578
Date de publication 29.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/056829
Date du dépôt international 22.03.2011
CIB
H01L 51/42 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
42spécialement adaptés pour détecter les rayons infrarouges, la lumière, le rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou le rayonnement corpusculaire; spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 31/102 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
H01L 27/146 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01L 27/146
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
H01L 27/307
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
30with components specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation; with components specially adapted for either the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
305Devices controlled by radiation
307Imager structures
H01L 31/102
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
H01L 51/0047
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0045Carbon containing materials, e.g. carbon nanotubes, fullerenes
0046Fullerenes, e.g. C60, C70
0047comprising substituents, e.g. PCBM
H01L 51/006
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0059Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
006comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
Déposants
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM Corporation [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 澤木　大悟 SAWAKI Daigo (UsOnly)
  • 養父　克行 YOFU Katsuyuki (UsOnly)
Inventeurs
  • 澤木　大悟 SAWAKI Daigo
  • 養父　克行 YOFU Katsuyuki
Mandataires
  • 高松　猛 TAKAMATSU Takeshi
Données relatives à la priorité
2010-06895424.03.2010JP
2010-25426412.11.2010JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND IMAGE PICKUP ELEMENT
(FR) ELÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET ÉLÉMENT ANALYSEUR D'IMAGE
(JA) 光電変換素子及び撮像素子
front page image
Abrégé
(EN) Disclosed is a photoelectric conversion element comprising an organic photoelectric conversion layer, wherein sensitivity degradation due to light irradiation is suppressed. Specifically disclosed is a photoelectric conversion element (100) which is obtained by laminating, on a substrate (101), a first electrode layer (104), a photoelectric conversion layer (15) that contains an organic material, and a second electrode layer (108). The photoelectric conversion layer (15) comprises a bulk heterostructure of a P-type organic semiconductor and an N-type organic semiconductor, and the difference between the ionization potential of the P-type organic semiconductor and the apparent ionization potential of the bulk heterostructure is 0.50 eV or less. Consequently, sensitivity degradation due to light irradiation can be suppressed.
(FR) La présente invention concerne un élément de conversion photoélectrique qui comprend une couche organique de conversion photoélectrique. Dans ledit élément de conversion photoélectrique, une dégradation de sensibilité en raison d'un rayonnement lumineux est supprimée. La présente invention concerne spécifiquement un élément de conversion photoélectrique (100) qui est obtenu en stratifiant, sur un substrat (101), une première couche électrode (104), une couche de conversion photoélectrique (15) qui contient un matériau organique, et une seconde couche électrode (108). La couche de conversion photoélectrique (15) comprend une hétéro-structure massive d'un semi-conducteur organique de type P et d'un semi-conducteur organique de type N, et la différence entre le potentiel d'ionisation du semi-conducteur organique de type P et le potentiel d'ionisation apparent de l'hétéro-structure massive est égale ou inférieure à 0,50 eV. Par conséquent, la dégradation de sensibilité en raison d'un rayonnement lumineux peut être supprimée.
(JA) 　有機光電変換層を備える光電変換素子で、光照射による感度劣化を抑制する。　基板１０１上に第１電極層１０４と有機材料を含む光電変換層１５と第２電極層１０８とが積層されてなる光電変換素子１００であって、光電変換層１５がＰ型有機半導体とＮ型有機半導体のバルクへテロ構造体を備え、該Ｐ型有機半導体のイオン化ポテンシャルと前記バルクへテロ構造体の見かけのイオン化ポテンシャルとの差が０．５０ｅＶ以下とする。これにより、光照射による感度劣化を抑制することが可能となる。
Documents de brevet associés
JP2011222949
US20130015435
KR1020130038204
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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