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1. WO2011118515 - DISPOSITIF D'AFFICHAGE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU POUR UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE

Numéro de publication WO/2011/118515
Date de publication 29.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/056522
Date du dépôt international 18.03.2011
CIB
G09F 9/30 2006.1
GPHYSIQUE
09ENSEIGNEMENT; CRYPTOGRAPHIE; PRÉSENTATION; PUBLICITÉ; SCEAUX
FPRÉSENTATION; PUBLICITÉ; ENSEIGNES; ÉTIQUETTES OU PLAQUES D'IDENTIFICATION; SCEAUX
9Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
30dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
G02F 1/1368 2006.1
GPHYSIQUE
02OPTIQUE
FDISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
01pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
13basés sur des cristaux liquides, p.ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
133Dispositions relatives à la structure; Excitation de cellules à cristaux liquides; Dispositions relatives aux circuits
136Cellules à cristaux liquides associées structurellement avec une couche ou un substrat semi-conducteurs, p.ex. cellules faisant partie d'un circuit intégré
1362Cellules à adressage par une matrice active
1368dans lesquelles l'élément de commutation est un dispositif à trois électrodes
H01L 21/28 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
H01L 29/417 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40Electrodes
41caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
417transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/786 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786Transistors à couche mince
CPC
G02F 1/136286
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
136286Wiring, e.g. gate line, drain line
G02F 1/1368
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
1368in which the switching element is a three-electrode device
H01L 27/1225
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1222with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
1225with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
H01L 27/1288
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
1259Multistep manufacturing methods
1288employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
H01L 29/41733
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
417carrying the current to be rectified, amplified or switched
41725Source or drain electrodes for field effect devices
41733for thin film transistors with insulated gate
Déposants
  • シャープ株式会社 Sharp Kabushiki Kaisha [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 鎌田 豪 KAMADA Tsuyoshi (UsOnly)
  • 青森 繁 AOMORI Shigeru (UsOnly)
  • 井出 哲也 IDE Tetsuya (UsOnly)
  • 大橋 誠二 OHHASHI Seiji (UsOnly)
  • 勝田 昇平 KATSUTA Shohei (UsOnly)
Inventeurs
  • 鎌田 豪 KAMADA Tsuyoshi
  • 青森 繁 AOMORI Shigeru
  • 井出 哲也 IDE Tetsuya
  • 大橋 誠二 OHHASHI Seiji
  • 勝田 昇平 KATSUTA Shohei
Mandataires
  • 船山 武 FUNAYAMA Takeshi
Données relatives à la priorité
2010-07238226.03.2010JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING ARRAY SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU POUR UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置および表示装置用アレイ基板の製造方法
Abrégé
(EN) Disclosed is a display device provided with: a plurality of stripe-shaped data electrodes (3) which are formed on a first substrate (1) and which extend in the vertical direction; a plurality of scanning lines (11) and a plurality of reference signal lines (12) which are formed on the second substrate (2) and which extend in the horizontal direction; a plurality of pixel electrodes (10) which are formed on the second substrate (2) and which are arranged in the form of a matrix; a plurality of switching elements (T1) which are formed on the second substrate (2), turns on or off by means of the plurality of scanning lines (11), and is disposed between the plurality of reference signal lines (12) and the plurality of pixel electrodes (10); and an oxide semiconductor layer (22) which is disposed between a source electrode (21) and a drain electrode (20). The oxide semiconductor layer (22) is formed with the switching elements (T1) with an insulating layer (23) therebetween in the vicinity of a gate electrode (11a), and is provided with the pixel electrodes (10) which are connected to the source electrode (21) or the drain electrode (20). The source electrode (21) or the drain electrode (20) that is connected to the pixel electrode (10) is formed from the same material as the pixel electrode (10). The source electrode (21) and the drain electrode (20) are formed from a film which was formed at the same time.
(FR) Un dispositif d'affichage de l'invention est pourvu : d'une pluralité d'électrodes de données en forme de bandes (3) qui sont formées sur un premier substrat (1) et qui s'étendent dans la direction verticale ; d'une pluralité de lignes de balayage (11) et d'une pluralité de lignes de signal de référence (12) qui sont formées sur le second substrat (2) et qui s'étendent dans la direction horizontale ; d'une pluralité d'électrodes de pixel (10) qui sont formées sur le second substrat (2) et qui sont agencées sous une forme matricielle ; d'une pluralité d'éléments de commutation (T1) qui sont formés sur le second substrat (2), qui sont activés ou désactivés au moyen de la pluralité de lignes de balayage (11), et qui sont disposés entre la pluralité de lignes de signal de référence (12) et la pluralité d'électrodes de pixel (10) ; et d'une couche oxyde semi-conducteur (22) qui est disposée entre une électrode de source (21) et une électrode de drain (20). La couche oxyde semi-conducteur (22) est formée par les éléments de commutation (T1) avec une couche isolante (23) entre eux à proximité d'une électrode de grille (11a), et est pourvue des électrodes de pixel (10) qui sont connectées à l'électrode de source (21) ou à l'électrode de drain (20). L'électrode de source (21) ou l'électrode de drain (20) qui est connectée à l'électrode de pixel (10) est formée à partir du même matériau que l'électrode de pixel (10). L'électrode de source (21) et l'électrode de drain (20) sont formées à partir d'un film qui a été formé simultanément.
(JA) 表示装置は、第1の基板(1)に形成され、列方向に延びるストライプ形状の複数のデータ電極(3)と、第2の基板(2)に形成され、行方向に延びる、複数の走査線(11)および複数の基準信号線(12)と、第2の基板(2)に形成され、マトリクス状に配置された複数の画素電極(10)と、第2の基板(2)に形成され、複数の走査線(11)によってオン/オフが制御され、かつ、複数の基準信号線(12)と複数の画素電極(10)との間に設けられた複数のスイッチング素子(T1)と、ソース電極(21)とドレイン電極(20)との間に設けられる酸化物半導体層(22)とを備える。酸化物半導体層(22)に絶縁層(23)を介しゲート電極(11a)を近接配置してスイッチング素子(T1)が形成され、ソース電極(21)あるいはドレイン電極(20)に接続されて画素電極(10)が設けられる。画素電極(10)が接続されているソース電極(21)あるいはドレイン電極(20)が画素電極(10)と同一材料からなる。ソース電極(21)とドレイン電極(20)とが同時成膜された膜からなる。
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