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1. WO2011118489 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT PRODUIT PAR LEDIT PROCÉDÉ

Numéro de publication WO/2011/118489
Date de publication 29.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/056355
Date du dépôt international 17.03.2011
CIB
H01L 33/32 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
CPC
H01L 33/0093
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0093Wafer bonding; Removal of the growth substrate
H01L 33/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
12with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
H01L 33/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
30containing only elements of group III and group V of the periodic system
32containing nitrogen
Déposants
  • 住友ベークライト株式会社 SUMITOMO BAKELITE CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 楠木 淳也 KUSUNOKI Junya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 竹内 江津 TAKEUCHI Etsu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 杉山 広道 SUGIYAMA Hiromichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 久保山 俊治 KUBOYAMA Toshiharu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 川田 政和 KAWATA Masakazu [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 楠木 淳也 KUSUNOKI Junya
  • 竹内 江津 TAKEUCHI Etsu
  • 杉山 広道 SUGIYAMA Hiromichi
  • 久保山 俊治 KUBOYAMA Toshiharu
  • 川田 政和 KAWATA Masakazu
Mandataires
  • 棚井 澄雄 TANAI Sumio
Données relatives à la priorité
2010-06795924.03.2010JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF MANUFACTURE FOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND LIGHT-EMITTING ELEMENT MANUFACTURED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT PRODUIT PAR LEDIT PROCÉDÉ
(JA) 発光素子の製造方法およびそれを用いてなる発光素子
Abrégé
(EN) Disclosed is a method of manufacture for a light-emitting elements which is less susceptible to leaving residue from a fixing resin layer on a semiconductor layer or a support substrate when manufacturing the light-emitting elements by a laser lift-off process. Further disclosed is a highly reliable light-emitting element manufactured by said method. To achieve the above, a heat-decomposable resin composition is applied as a fixing resin layer to fix the semiconductor layer to the support substrate, and the fixing resin layer is thermally decomposed when the semiconductor layer is detached from the support substrate.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément électroluminescent qui est moins susceptible de laisser des résidus provenant d'une couche de résine de fixation sur une couche semi-conductrice ou sur un substrat de support lorsque l'élément électroluminescent est fabriqué par un procédé de décollement au laser. Est également décrit un élément électroluminescent extrêmement fiable produit par ledit procédé. Pour obtenir le résultat décrit ci-dessus, on applique une composition de résine apte à se décomposer sous l'action de la chaleur comme couche de résine de fixation pour fixer la couche semi-conductrice sur le substrat de support, et cette couche de résine de fixation se décompose par voie thermique lorsque la couche semi-conductrice est détachée du substrat de support.
(JA) 本発明の目的は、発光素子をレーザーリフトオフ工法で作製する場合に、半導体層および支持基板に固定樹脂層の残渣が残り難い発光素子の製造方法を提供することにある。また、別の目的は、本発明の製造方法で作製された信頼性の高い発光素子を提供することにある。上記目的は、半導体層を支持基板に固定する固定樹脂層として熱分解性の樹脂組成物を適用し、半導体層を支持基板から剥離する際に、固定樹脂層を熱分解させることにより達成することができる。
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