(EN) Disclosed are: a light-receiving element array and the like having high light-reception sensitivity in the near infrared spectrum; an optical sensor device; and a method for producing the light-receiving element array. The light-receiving element array (55) is characterized by: being provided with an n-type buffer layer (2) positioned on an InP substrate (1), a light-receiving layer (3) comprising a type-2 MQW, a contact layer (5) positioned over the light-receiving layer, and a p-type region (6) that goes through the light-receiving layer (3) and reaches the n-type buffer layer (2); the p-type region, resulting from selective diffusion, being separated from the p-type region of an adjacent light-receiving element by a region that has not been selectively diffused; and a pn junction (15) being formed within the n-type buffer layer at the plane of intersection of n-type carrier concentration in said buffer layer and the p-type carrier concentration of the p-type region.
(FR) La présente invention concerne : une matrice à élément récepteur de lumière et similaire, présentant une sensibilité élevée à la réception de lumière dans le spectre du proche infrarouge ; un dispositif de capteur optique ; et un procédé de production de la matrice à élément récepteur de lumière. La matrice à élément récepteur de lumière (55) est caractérisée : en ce qu'elle est pourvue d'une couche tampon de type n (2) positionnée sur un substrat d'InP (1), d'une couche de réception de lumière (3) comprenant un puits quantique multiple de type 2, d'une couche de contact (5) positionnée sur la couche de réception de lumière, et d'une région de type p (6) qui traverse la couche de réception de lumière (3) et qui atteint la couche tampon de type n (2) ; en ce que la région de type p, résultant d'une diffusion sélective, est séparée de la région de type p d'un élément de réception de lumière adjacent par une région qui n'a pas été diffusée sélectivement ; et en ce qu'une jonction p-n (15) est formée dans la couche tampon de type n au plan d'intersection d'une concentration de porteur de type n dans ladite couche tampon et de la concentration de porteur de type p de la région de type p.
(JA) 本発明は、近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子アレイ等、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法を提供する。受光素子アレイ５５は、ＩｎＰ基板１上に位置するｎ型バッファ層２と、タイプ２型のＭＱＷからなる受光層３ と、受光層の上に位置するコンタクト層５と、受光層３を経てｎ型バッファ層２に至るｐ型領域６とを備え、選択拡散によるｐ型領域は、隣の受光素子におけるｐ型領域とは、選択拡散されていない領域により隔てられており、ｎ型バッファ層内において、ｐ型領域のｐ型キャリア濃度と該バッファ層のｎ型キャリア濃度との交差面でｐｎ接合１５が形成されていることを特徴とする。
