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1. WO2011118399 - ELÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE, MATRICE À ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE, DISPOSITIF DE DÉTECTION HYBRIDE, DISPOSITIF DE CAPTEUR OPTIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LA MATRICE À ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE

Numéro de publication WO/2011/118399
Date de publication 29.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/055588
Date du dépôt international 10.03.2011
CIB
H01L 27/14 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 31/10 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
CPC
H01L 27/1464
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1464Back illuminated imager structures
H01L 27/14652
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14643Photodiode arrays; MOS imagers
14649Infra-red imagers
14652Multispectral infra-red imagers, having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW structures
H01L 27/14694
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
14694The active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
Déposants
  • 住友電気工業株式会社 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES,LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 猪口 康博 IGUCHI, Yasuhiro [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 稲田 博史 INADA, Hiroshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 永井 陽一 NAGAI, Youichi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中幡 英章 NAKAHATA, Hideaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 秋田 勝史 AKITA, Katsushi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 石塚 貴司 ISHIZUKA, Takashi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 藤井 慧 FUJII, Kei [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 猪口 康博 IGUCHI, Yasuhiro
  • 稲田 博史 INADA, Hiroshi
  • 永井 陽一 NAGAI, Youichi
  • 中幡 英章 NAKAHATA, Hideaki
  • 秋田 勝史 AKITA, Katsushi
  • 石塚 貴司 ISHIZUKA, Takashi
  • 藤井 慧 FUJII, Kei
Mandataires
  • 中田 元己 NAKATA, Motomi
Données relatives à la priorité
2010-07099325.03.2010JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) LIGHT-RECEIVING ELEMENT, LIGHT-RECEIVING ELEMENT ARRAY, HYBRID DETECTION DEVICE, OPTICAL SENSOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING LIGHT-RECEIVING ELEMENT ARRAY
(FR) ELÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE, MATRICE À ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE, DISPOSITIF DE DÉTECTION HYBRIDE, DISPOSITIF DE CAPTEUR OPTIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LA MATRICE À ÉLÉMENT RÉCEPTEUR DE LUMIÈRE
(JA) 受光素子、受光素子アレイ、ハイブリッド型検出装置、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法
Abrégé
(EN) Disclosed are: a light-receiving element array and the like having high light-reception sensitivity in the near infrared spectrum; an optical sensor device; and a method for producing the light-receiving element array. The light-receiving element array (55) is characterized by: being provided with an n-type buffer layer (2) positioned on an InP substrate (1), a light-receiving layer (3) comprising a type-2 MQW, a contact layer (5) positioned over the light-receiving layer, and a p-type region (6) that goes through the light-receiving layer (3) and reaches the n-type buffer layer (2); the p-type region, resulting from selective diffusion, being separated from the p-type region of an adjacent light-receiving element by a region that has not been selectively diffused; and a pn junction (15) being formed within the n-type buffer layer at the plane of intersection of n-type carrier concentration in said buffer layer and the p-type carrier concentration of the p-type region.
(FR) La présente invention concerne : une matrice à élément récepteur de lumière et similaire, présentant une sensibilité élevée à la réception de lumière dans le spectre du proche infrarouge ; un dispositif de capteur optique ; et un procédé de production de la matrice à élément récepteur de lumière. La matrice à élément récepteur de lumière (55) est caractérisée : en ce qu'elle est pourvue d'une couche tampon de type n (2) positionnée sur un substrat d'InP (1), d'une couche de réception de lumière (3) comprenant un puits quantique multiple de type 2, d'une couche de contact (5) positionnée sur la couche de réception de lumière, et d'une région de type p (6) qui traverse la couche de réception de lumière (3) et qui atteint la couche tampon de type n (2) ; en ce que la région de type p, résultant d'une diffusion sélective, est séparée de la région de type p d'un élément de réception de lumière adjacent par une région qui n'a pas été diffusée sélectivement ; et en ce qu'une jonction p-n (15) est formée dans la couche tampon de type n au plan d'intersection d'une concentration de porteur de type n dans ladite couche tampon et de la concentration de porteur de type p de la région de type p.
(JA)  本発明は、近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子アレイ等、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法を提供する。受光素子アレイ55は、InP基板1上に位置するn型バッファ層2と、タイプ2型のMQWからなる受光層3 と、受光層の上に位置するコンタクト層5と、受光層3を経てn型バッファ層2に至るp型領域6とを備え、選択拡散によるp型領域は、隣の受光素子におけるp型領域とは、選択拡散されていない領域により隔てられており、n型バッファ層内において、p型領域のp型キャリア濃度と該バッファ層のn型キャリア濃度との交差面でpn接合15が形成されていることを特徴とする。
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