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1. WO2011118395 - ELÉMENT DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE, MÉMOIRE MAGNÉTIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CETTE MÉMOIRE

Numéro de publication WO/2011/118395
Date de publication 29.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/055552
Date du dépôt international 09.03.2011
CIB
H01L 21/8246 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232Technologie à effet de champ
8234Technologie MIS
8239Structures de mémoires
8246Structures de mémoires mortes (ROM)
G11C 11/15 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
14utilisant des éléments à pellicules minces
15utilisant des couches magnétiques multiples
H01L 27/105 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
10comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105comprenant des composants à effet de champ
H01L 29/82 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
82commandés par la variation du champ magnétique appliqué au dispositif
H01L 43/08 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
CPC
G11C 11/161
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
161details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
H01L 27/228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
22including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
226comprising multi-terminal components, e.g. transistors
228of the field-effect transistor type
H01L 43/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Details
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
H01L 43/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 深見 俊輔 FUKAMI Shunsuke [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 永原 聖万 NAGAHARA Kiyokazu [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 鈴木 哲広 SUZUKI Tetsuhiro [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 深見 俊輔 FUKAMI Shunsuke
  • 永原 聖万 NAGAHARA Kiyokazu
  • 鈴木 哲広 SUZUKI Tetsuhiro
Mandataires
  • 工藤 実 KUDOH Minoru
Données relatives à la priorité
2010-06686223.03.2010JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETIC MEMORY ELEMENT, MAGNETIC MEMORY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) ELÉMENT DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE, MÉMOIRE MAGNÉTIQUE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CETTE MÉMOIRE
(JA) 磁気メモリ素子、磁気メモリ、及びその製造方法
Abrégé
(EN) Disclosed is a magnetic memory element provided with: a first magnetization free layer which is constructed from a ferromagnetic body having perpendicular magnetic anisotropy; a reference layer which is provided near the first magnetization free layer; a non-magnetic layer which is provided adjacent to the reference layer; and a step formation layer which is provided under the first magnetization free layer. The first magnetization free layer is provided with: a first magnetization fixed region which has magnetization fixed therein; a second magnetization fixed region which has magnetization fixed therein; and a magnetization free region which is connected to the first magnetization fixed region and the second magnetization fixed region. The first magnetization free layer has at least one from among a step, a groove, and a projection.
(FR) Un élément de mémoire magnétique de l'invention est pourvu : d'une première couche exempte de magnétisation qui est construite à partir d'un corps ferromagnétique ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire ; d'une couche de référence qui est prévue à proximité de la première couche exempte de magnétisation ; d'une couche non magnétique qui est prévue adjacente à la couche de référence ; et d'une couche de formation de gradin qui est prévue sous la première couche exempte de magnétisation. La première couche exempte de magnétisation est pourvue : d'une première région fixée de magnétisation dont la magnétisation est fixée ; d'une seconde région fixée de magnétisation dont la magnétisation est fixée ; et d'une région exempte de magnétisation qui est connectée à la première région fixée de magnétisation et à la seconde région fixée de magnétisation. La première couche exempte de magnétisation comporte au moins l'un d'un gradin, d'une rainure et d'une protubérance.
(JA)  磁気メモリ素子は、垂直磁気異方性を有する強磁性体で構成された第1磁化自由層と、第1磁化自由層の近傍に設けられたリファレンス層と、リファレンス層に隣接して設けられた非磁性層と、第1磁化自由層の下方に設けられた段差形成層とを具備する。第1磁化自由層は、磁化が固定された第1磁化固定領域と、磁化が固定された第2磁化固定領域と、第1磁化固定領域と第2磁化固定領域に接続された磁化自由領域とを備える。第1磁化自由層内は段差、溝、突起のうちの少なくとも一つを有する。
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