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1. (WO2011117407) PROCEDE POUR GRAVER UNE COUCHE D'OXYDE METALLIQUE CONDUCTEUR UTILISANT UNE MICROELECTRODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2011/117407 N° de la demande internationale : PCT/EP2011/054653
Date de publication : 29.09.2011 Date de dépôt international : 25.03.2011
CIB :
C25F 3/12 (2006.01) ,C25F 3/14 (2006.01) ,H01L 21/3063 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
F
PROCÉDÉS POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR ENLÈVEMENT ÉLECTROLYTIQUE DE MATIÈRE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3
Attaque de surface ou polissage électrolytique
02
Attaque de surface
12
des matériaux semi-conducteurs
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
25
PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
F
PROCÉDÉS POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR ENLÈVEMENT ÉLECTROLYTIQUE DE MATIÈRE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3
Attaque de surface ou polissage électrolytique
02
Attaque de surface
14
localisée, c. à d. gravure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3063
Gravure électrolytique
Déposants :
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR/FR]; 25, rue Leblanc Bâtiment "Le Ponant D" F-75015 Paris, FR (AllExceptUS)
METAYE, Romain [FR/FR]; FR (UsOnly)
GRISOTTO, Federico [IT/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs :
METAYE, Romain; FR
GRISOTTO, Federico; FR
Mandataire :
AUGARDE, Eric; Brevalex 56 boulevard de l'Embouchure B.P. 27519 F-31075 Toulouse Cedex 2, FR
Données relatives à la priorité :
10 5222726.03.2010FR
Titre (EN) METHOD FOR ETCHING CONDUCTIVE METAL OXIDE LAYER USING MICROELECTRODE
(FR) PROCEDE POUR GRAVER UNE COUCHE D'OXYDE METALLIQUE CONDUCTEUR UTILISANT UNE MICROELECTRODE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for etching a selected area of a conductive metal oxide layer deposited onto a substrate, said method involving the electrochemical removal of said area in the presence of a polarized microelectrode and an electrochemical solution. The present invention also relates to the etched layer that is achieved by such a method.
(FR) L'invention concerne un procédé pour graver une zone sélectionnée d'une couche d'oxyde métallique conducteur déposée sur un support, consistant à éliminer ladite zone par voie électrochimique en présence d'une microélectrode polarisée et d'une solution électrochimique. La présente invention concerne également la couche gravée obtenue par un tel procédé.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Français (FR)
Langue de dépôt : Français (FR)
Également publié sous:
EP2553149US20130020115JP2013524003CN102834552KR1020130010905FR2957941