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1. WO2011117407 - PROCEDE POUR GRAVER UNE COUCHE D'OXYDE METALLIQUE CONDUCTEUR UTILISANT UNE MICROELECTRODE

Numéro de publication WO/2011/117407
Date de publication 29.09.2011
N° de la demande internationale PCT/EP2011/054653
Date du dépôt international 25.03.2011
CIB
C25F 3/12 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
FPROCÉDÉS POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR ENLÈVEMENT ÉLECTROLYTIQUE DE MATIÈRE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3Attaque de surface ou polissage électrolytique
02Attaque de surface
12des matériaux semi-conducteurs
C25F 3/14 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
FPROCÉDÉS POUR LE TRAITEMENT D'OBJETS PAR ENLÈVEMENT ÉLECTROLYTIQUE DE MATIÈRE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3Attaque de surface ou polissage électrolytique
02Attaque de surface
14localisée, c. à d. gravure
H01L 21/3063 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3063Gravure électrolytique
CPC
C25F 3/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
3Electrolytic etching or polishing
02Etching
12of semiconducting materials
C25F 3/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
3Electrolytic etching or polishing
02Etching
14locally
H01L 31/022466
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022466made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
H01L 31/022475
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022466made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
022475composed of indium tin oxide [ITO]
Déposants
  • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • METAYE, Romain [FR]/[FR] (UsOnly)
  • GRISOTTO, Federico [IT]/[FR] (UsOnly)
Inventeurs
  • METAYE, Romain
  • GRISOTTO, Federico
Mandataires
  • AUGARDE, Eric
Données relatives à la priorité
10 5222726.03.2010FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR ETCHING CONDUCTIVE METAL OXIDE LAYER USING MICROELECTRODE
(FR) PROCEDE POUR GRAVER UNE COUCHE D'OXYDE METALLIQUE CONDUCTEUR UTILISANT UNE MICROELECTRODE
Abrégé
(EN)
The invention relates to a method for etching a selected area of a conductive metal oxide layer deposited onto a substrate, said method involving the electrochemical removal of said area in the presence of a polarized microelectrode and an electrochemical solution. The present invention also relates to the etched layer that is achieved by such a method.
(FR)
L'invention concerne un procédé pour graver une zone sélectionnée d'une couche d'oxyde métallique conducteur déposée sur un support, consistant à éliminer ladite zone par voie électrochimique en présence d'une microélectrode polarisée et d'une solution électrochimique. La présente invention concerne également la couche gravée obtenue par un tel procédé.
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