Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2011115138 - COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RADIATIONS ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF RÉSISTANT

Numéro de publication WO/2011/115138
Date de publication 22.09.2011
N° de la demande internationale PCT/JP2011/056111
Date du dépôt international 15.03.2011
CIB
G03F 7/004 2006.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
C09K 3/00 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
G03F 7/039 2006.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004Matériaux photosensibles
039Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G03F 7/38 2006.1
GPHYSIQUE
03PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
FPRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
38Traitement avant le dépouillement selon l'image, p.ex. préchauffage
H01L 21/027 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
CPC
C09K 3/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
G03F 7/004
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
G03F 7/0045
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0045with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
G03F 7/0046
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
0046with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
G03F 7/039
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
G03F 7/0397
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
0392the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
0397the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
Déposants
  • JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 松田 恭彦 MATSUDA Yasuhiko [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 川上 峰規 KAWAKAMI Takanori [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 松田 恭彦 MATSUDA Yasuhiko
  • 川上 峰規 KAWAKAMI Takanori
Mandataires
  • 天野 一規 AMANO Kazunori
Données relatives à la priorité
2010-06172017.03.2010JP
Langue de publication Japonais (ja)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AUX RADIATIONS ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF RÉSISTANT
(JA) 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
Abrégé
(EN) Disclosed is [A] a radiation-sensitive resin composition comprising an acid generator that generates an organic acid by means of irradiation with radioactive rays, wherein the radiation-sensitive resin composition is characterized in that the organic acid has a cyclic hydrocarbon group and an organic group comprising a bond that produces a polar group by being cleaved by an acid or a base. The abovementioned organic acid is preferably an organic acid represented by formula (I). In formula (I), Z is an organic acid group. R1 is an alkanediyl group. However, a portion or all of the hydrogen atoms in the abovementioned alkanediyl group may be substituted with fluorine atoms. X is a single bond, O, OCO, COO, CO, SO3, or SO2. R2 is a cyclic hydrocarbon group. R3 is a monovalent organic group having a functional group represented by formula (x). n is an integer in the range of 1 to 3. However, in cases in which there is a plurality of R3's, the plurality of R3's may be the same or different.
(FR) L'invention concerne [A] une composition de résine sensible aux radiations comprenant un générateur d'acide qui génère un acide organique par irradiation avec des rayons radioactifs, la composition de résine sensible aux radiations étant caractérisée en ce que l'acide organique comporte un groupe hydrocarbure cyclique et un groupe organique comprenant une liaison qui produit un groupe polaire en étant clivé par un acide ou une base. L'acide organique susmentionné est de préférence un acide organique représenté par la formule (I). Dans la formule (I), Z est un groupe acide organique. R1 est un groupe alcanediyle. Cependant tout ou partie des atomes d'hydrogène du groupe alcanediyle susmentionné peuvent être substitués par des atomes de fluor. X est une liaison simple, O, OCO, COO, CO, SO3, ou SO2. R2 est un groupe hydrocarbure cyclique. R3 est un groupe organique monovalent comportant un groupe fonctionnel représenté par la formule (x). n est un nombre entier compris entre 1 et 3. Cependant, dans les cas où il y a une pluralité de R3, la pluralité de R3 peut être identique ou différente.
(JA)  本発明は、[A]放射線の照射により有機酸を発生する酸発生剤を含有する感放射線性樹脂組成物であって、この有機酸が、環状炭化水素基と、酸又は塩基により切断されて極性基を生じる結合を含む有機基とを有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物である。上記有機酸は、下記式(I)で表される有機酸が好ましい。式(I)中、Zは、有機酸基である。Rは、アルカンジイル基である。但し、上記アルカンジイル基の水素原子の一部又は全部は、フッ素原子で置換されていてもよい。Xは、単結合、O、OCO、COO、CO、SO又はSOである。Rは、環状炭化水素基である。Rは、下記式(x)で表される官能基を有する1価の有機基である。nは、1~3の整数である。但し、Rが複数の場合、複数のRは同一であっても異なっていてもよい。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international