(EN) Aspects of the disclosure pertain to methods of depositing dielectric layers on patterned substrates. In embodiments, dielectric layers are deposited by flowing BIS(DIETHYLAMINO)SILANE (BDEAS), ozone and molecular oxygen into a processing chamber such that a relatively uniform dielectric growth rate is achieved across the patterned substrate surface. The deposition of dielectric layers grown according to embodiments may have a reduced dependence on pattern density while still being suitable for non-sacrificial applications.
(FR) Selon certains aspects, l'invention porte sur des procédés de dépôt de couches diélectriques sur des substrats à motifs. Dans des modes de réalisation, des couches diélectriques sont déposées par circulation de bis(diéthylamino)silane (BDEAS), d'ozone et d'oxygène moléculaire dans une chambre de traitement de façon à obtenir une vitesse de croissance de la couche diélectrique relativement uniforme sur toute la surface du substrat à motifs. Le dépôt de couches diélectriques amené à croître selon des modes de réalisation de l'invention peut dépendre moins de la densité des motifs tout en étant approprié pour des applications non sacrificielles.