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1. WO2011112330 - CHARGEMENT DE MOTIF RÉDUIT À L'AIDE DE BIS(DIÉTHYLAMINO)SILANE (C8H22N2SI) COMME PRÉCURSEUR DE SILICIUM

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Numéro de publication WO/2011/112330
Date de publication 15.09.2011
N° de la demande internationale PCT/US2011/025050
Date du dépôt international 16.02.2011
CIB
H01L 21/205 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
CPC
C23C 16/401
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
40Oxides
401containing silicon
H01L 21/02164
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02112characterised by the material of the layer
02123the material containing silicon
02164the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
H01L 21/02219
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02109characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
02205the layer being characterised by the precursor material for deposition
02208the precursor containing a compound comprising Si
02219the compound comprising silicon and nitrogen
H01L 21/02271
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
0226formation by a deposition process
02263deposition from the gas or vapour phase
02271deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
Déposants
  • APPLIED MATERIALS, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • KWESKIN, Sasha [US]/[US] (UsOnly)
  • GEE, Paul, Edward [US]/[US] (UsOnly)
  • VENKATARAMAN, Shankar [US]/[US] (UsOnly)
  • SAPRE, Kedar [IN]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • KWESKIN, Sasha
  • GEE, Paul, Edward
  • VENKATARAMAN, Shankar
  • SAPRE, Kedar
Mandataires
  • BERNARD, Eugene, J.
Données relatives à la priorité
12/855,87713.08.2010US
61/311,94909.03.2010US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) REDUCED PATTERN LOADING USING BIS(DIETHYLAMINO)SILANE (C8H22N2Si) AS SILICON PRECURSOR
(FR) CHARGEMENT DE MOTIF RÉDUIT À L'AIDE DE BIS(DIÉTHYLAMINO)SILANE (C8H22N2SI) COMME PRÉCURSEUR DE SILICIUM
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Abrégé
(EN) Aspects of the disclosure pertain to methods of depositing dielectric layers on patterned substrates. In embodiments, dielectric layers are deposited by flowing BIS(DIETHYLAMINO)SILANE (BDEAS), ozone and molecular oxygen into a processing chamber such that a relatively uniform dielectric growth rate is achieved across the patterned substrate surface. The deposition of dielectric layers grown according to embodiments may have a reduced dependence on pattern density while still being suitable for non-sacrificial applications.
(FR) Selon certains aspects, l'invention porte sur des procédés de dépôt de couches diélectriques sur des substrats à motifs. Dans des modes de réalisation, des couches diélectriques sont déposées par circulation de bis(diéthylamino)silane (BDEAS), d'ozone et d'oxygène moléculaire dans une chambre de traitement de façon à obtenir une vitesse de croissance de la couche diélectrique relativement uniforme sur toute la surface du substrat à motifs. Le dépôt de couches diélectriques amené à croître selon des modes de réalisation de l'invention peut dépendre moins de la densité des motifs tout en étant approprié pour des applications non sacrificielles.
Documents de brevet associés
US20110223774
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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