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1. WO2011111960 - DISPOSITIF DE SOURCE D'ÉNERGIE POUR DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET SON PROCÉDÉ DE COMMANDE

Numéro de publication WO/2011/111960
Date de publication 15.09.2011
N° de la demande internationale PCT/KR2011/001549
Date du dépôt international 07.03.2011
CIB
H02M 3/325 2006.1
HÉLECTRICITÉ
02PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
MAPPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
3Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
22avec transformation intermédiaire en courant alternatif
24par convertisseurs statiques
28utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire
325utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande
H01L 21/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
CPC
C23C 16/46
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
46characterised by the method used for heating the substrate
H02M 5/12
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
5Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
02without intermediate conversion into dc
04by static converters
10using transformers
12for conversion of voltage or current amplitude only
H02P 13/06
HELECTRICITY
02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
PCONTROL OR REGULATION OF ELECTRIC MOTORS, ELECTRIC GENERATORS OR DYNAMO-ELECTRIC CONVERTERS; CONTROLLING TRANSFORMERS, REACTORS OR CHOKE COILS
13Arrangements for controlling transformers, reactors or choke coils, for the purpose of obtaining a desired output
06by tap-changing; by rearranging interconnections of windings
Déposants
  • 주식회사 다원시스 DAWONSYS CO., LTD. [KR]/[KR] (AllExceptUS)
  • 유효열 LIU, Hyoyol [KR]/[KR] (UsOnly)
Inventeurs
  • 유효열 LIU, Hyoyol
Mandataires
  • 이철희 LEE, Chulhee
Données relatives à la priorité
10-2010-002037708.03.2010KR
Langue de publication Coréen (ko)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) POWER SOURCE DEVICE FOR A CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION DEVICE AND A METHOD FOR CONTROLLING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE SOURCE D'ÉNERGIE POUR DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ET SON PROCÉDÉ DE COMMANDE
(KO) 화학 기상 증착 장치용 전원 장치 및 그 제어 방법
Abrégé
(EN) One embodiment of the present invention relates to a power source device for a chemical vapour deposition (CVD) device, which may comprise: an isolation transformer for isolating and transforming an input power source and outputting the resultant power in multiple stages; a tab changing switch for individually regulating the multi-stage output; an auxiliary transformer having a secondary winding in a dot direction that differs from the dot direction of the secondary winding of the isolation transformer; a first switch of which a first terminal is coupled to a first terminal of the secondary winding of the auxiliary transformer; a second switch which is coupled between the first terminal of the secondary winding of the isolation transformer and the other terminal of the first switch; and a third switch which is coupled between a shared contact point of the first and second switches and a shared contact point between loads; and comprises a switching control unit for controlling the switching of the first through third switches and also the tab changing switch. The present invention allows high switch reliability to be maintained while satisfying load characteristics for CVD processing for the purpose of silicon crystal growth even if use is made of a tab-changing initial switch having a lower rated voltage than hitherto, and thus the cost of producing power source devices is reduced and reliability is improved.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un dispositif de source d'énergie, pour un dispositif chimique en phase vapeur (CVD), qui peut comporter : un transformateur d'isolation pour isoler et transformer une source d'énergie d'entrée et pour émettre en sortie l'énergie résultante en multiples étages; un commutateur de changement de languette pour réguler individuellement la sortie à multiples étages; un transformateur auxiliaire ayant un bobinage secondaire dans une direction de point qui diffère de celle du bobinage secondaire du transformateur d'isolation; un premier commutateur dont une première borne est couplée à une première borne du bobinage secondaire du transformateur auxiliaire; un deuxième commutateur qui est couplé entre la première borne du bobinage secondaire du transformateur d'isolation et l'autre borne du premier commutateur, et un troisième commutateur qui est couplé entre un point de contact partagé du premier et du deuxième commutateur et un point de contact partagé entre des charges. Ledit dispositif comporte une unité de commande de commutation afin de commander la commutation des trois commutateurs, ainsi que celle du commutateur de changement de languette. La présente invention permet d'obtenir une fiabilité élevée des commutateurs tout en satisfaisant des caractéristiques de charge pour un traitement de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) en vue d'une croissance cristalline du silicium, même si un commutateur initial de changement de languette, dont la tension nominale est plus basse que jusqu'à présent, est utilisé et, par conséquent, les coûts de fabrication des dispositifs de source d'énergie sont réduits et la fiabilité est améliorée.
(KO) 본 발명의 실시예는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 장치용 전원 장치에 관한 것으로, 입력 전원을 절연 변압하여 다단으로 출력하는 절연 변압기; 상기 다단 출력을 각기 단속하는 탭 절환 스위치; 상기 절연 변압기의 2차측 권선의 도트 방향과 다른 도트 방향의 2차측 권선을 갖는 보조 변압기; 상기 보조 변압기의 상기 2차측 권선의 일단에 일단이 연결된 제 1 스위치; 상기 절연 변압기의 상기 2차측 권선의 일단과 상기 제 1 스위치의 타단과의 사이에 연결된 제 2 스위치; 및 상기 제 1 및 제 2 스위치의 공통접속점과 부하들간의 공통 접속점과의 사이에 연결된 제 3 스위치를 포함할 수 있고, 상기 제 1 내지 제 3 스위치 및 상기 탭 절환 스위치의 스위칭을 제어하는 스위칭 제어부를 포함하여, 기존보다 낮은 정격 전압의 탭 절환 초기 스위치를 사용하여도 실리콘 결정 성장을 위한 CVD 공정의 부하 특성을 만족하면서 스위치의 고 신뢰성을 유지할 수 있으며, 이로 인해 전원 장치의 생산 비용은 낮추고 신뢰성은 향상한다.
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