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1. WO2011110763 - PROCEDE DE PREPARATION D'UNE COUCHE MINCE D'ABSORBEUR POUR CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES

Numéro de publication WO/2011/110763
Date de publication 15.09.2011
N° de la demande internationale PCT/FR2011/050345
Date du dépôt international 17.02.2011
CIB
C25D 3/56 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3Dépôt électrochimique; Bains utilisés
02à partir de solutions
56d'alliages
C25D 3/58 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
3Dépôt électrochimique; Bains utilisés
02à partir de solutions
56d'alliages
58contenant plus de 50% en poids de cuivre
C25D 9/08 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
25PROCÉDÉS ÉLECTROLYTIQUES OU ÉLECTROPHORÉTIQUES; APPAREILLAGES À CET EFFET
DPROCÉDÉS POUR LA PRODUCTION ÉLECTROLYTIQUE OU ÉLECTROPHORÉTIQUE DE REVÊTEMENTS; GALVANOPLASTIE; JONCTION DE PIÈCES PAR ÉLECTROLYSE; APPAREILLAGES À CET EFFET
9Revêtement électrolytique autrement qu'avec des métaux
04avec des matières inorganiques
08par des procédés cathodiques
H01L 31/0216 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02Détails
0216Revêtements
H01L 31/032 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256caractérisés par les matériaux
0264Matériaux inorganiques
032comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes H01L31/0272-H01L31/0312169
H01L 31/0336 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256caractérisés par les matériaux
0264Matériaux inorganiques
0328comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes H01L31/0272-H01L31/032182
0336dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du groupe VI de la classification périodique
CPC
C25D 11/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
11Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
C25D 3/56
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
3Electroplating: Baths therefor
02from solutions
56of alloys
C25D 3/58
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
3Electroplating: Baths therefor
02from solutions
56of alloys
58containing more than 50% by weight of copper
C25D 9/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
9Electrolytic coating other than with metals
04with inorganic materials
08by cathodic processes
H01L 31/0216
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0216Coatings
H01L 31/0322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
032including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
0322comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
Déposants
  • ELECTRICITE DE FRANCE [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE - CNRS - [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • CHASSAING, Elisabeth [FR]/[FR] (UsOnly)
  • LINCOT, Daniel [FR]/[FR] (UsOnly)
Inventeurs
  • CHASSAING, Elisabeth
  • LINCOT, Daniel
Mandataires
  • HUISMAN, Aurélien
Données relatives à la priorité
10 5176911.03.2010FR
Langue de publication Français (fr)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PREPARING AN ABSORBER THIN FILM FOR PHOTOVOLTAIC CELLS
(FR) PROCEDE DE PREPARATION D'UNE COUCHE MINCE D'ABSORBEUR POUR CELLULES PHOTOVOLTAÏQUES
Abrégé
(EN) The invention relates to a method for preparing an A-B-C2 or A2-(Dx, E1_x)-C4 absorber thin film for photovoltaic cells where 0 ≤ x ≤ 1, A is an element or mixture of elements selected within Group 11, B is an element or mixture of elements selected within Group 13, C is an element or mixture of elements selected within Group 16, D is an element or mixture of elements selected within Group 12, and E is an element or mixture of elements selected within Group 14. Said method includes: a step (S1) of electrochemically depositing oxide from elements selected from among Groups 11, 12, 13, and 14, a step (S2) of annealing in a reducing atmosphere, and a step (S3) of supplying an element from Group 16.
(FR) Procédé de préparation d'une couche mince d'absorbeur pour cellules photovoltaïques de type A-B-C2 ou A2- (Dx, E1_x) - C4 avec 0≤ x ≤1, A est un élément ou un mélange d'éléments choisis dans le groupe 11, B est un élément ou un mélange d'éléments choisis dans le groupe 13, C est un élément ou un mélange d'éléments choisis dans le groupe 16, D est un élément ou un mélange d'éléments choisis dans le groupe 12 et E est un élément ou un mélange d'éléments choisis dans le groupe 14, ledit procédé comprenant : - une étape de dépôt électrochimique (S1) d'oxyde d'éléments choisis parmi les groupes 11, 12, 13, et 14, - une étape de recuit sous atmosphère réductrice (S2), et - une étape d'apport (S3) d'un élément du groupe 16.
Documents de brevet associés
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